描述
CA3130A和CA3130E是运算放大器，结合了CMOS和双极晶体管的优点。栅极保护的P沟道MOSFET（PMOS）晶体管用于输入电路，以提供非常高的输入阻抗、非常低的输入电流和优异的速度性能。在输入级中使用PMOS晶体管导致共模输入电压能力下降到低于负电源端子0.5V，这是单电源应用中的一个重要属性。
采用CMOS晶体管对作为输出电路，该晶体管对能够将输出电压摆动至任一电源电压端子的10mV以内（负载阻抗值非常高）。
CA3130E系列电路的电源电压范围为5V至16V（±2.5V至±8V）。它们可以用单个外部电容器进行相位补偿，并且具有用于调整偏置电压的端子，以适应需要偏置零点能力的应用。端子规定也允许输出级的选通。
特征
•MOSFET输入级提供：
-极高ZI=1.5 TΩ （1.5 x 1012Ω) （典型）
-非常低II。15V运行时5pA（典型值）
5V运行时…………..=2pA（典型值）
•单电源应用的理想选择
•共模输入电压范围包括
负极供电轨；输入端子可为开关0.5V
负极供电轨下方
•CMOS输出级允许信号摆动至任一（或两个）供电轨
•提供无铅退火（符合RoHS）
应用
•接地参考单电源放大器
•快速采样保持放大器
•长时间定时器/单稳态
•高输入阻抗比较器
（与数字CMOS的理想接口）
•高输入阻抗宽带放大器
•电压跟随器（例如单电源D/A转换器的跟随器）
•电压调节器（允许将输出电压控制在0V以下）
•峰值检测器
•单电源全波精密整流器
•光电二极管传感器放大器
特色
- MOSFET输入级提供：
- 极高ZI=1.5 TΩ （1.5 x 1012Ω) （典型）
- 15V运行时的极低II 5pA（典型值）=5V运行时的2pA（典型值
- 单电源应用的理想选择
- 共模输入电压范围包括负电源轨；输入端子可以低于负电源轨0.5V
- CMOS输出级允许信号摆动到任一（或两个）供电轨
- 可提供无铅加退火（符合RoHS）
（图片：引出线）
