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BUZ30A H3045A是MOSFET N-Ch 200V 21A D2PAK-2，包括BUZ30系列，它们设计用于卷筒包装，零件别名如数据表注释所示，用于BUZ30AH33045AATMA1 BUZ30AH13045AXT SP000736082，提供单位重量功能，例如0.139332盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及OptiMOS商品名，该装置也可用作TO-252-3包装箱。此外，该技术为Si，该器件提供1信道数信道，该器件具有单一配置，晶体管类型为1 N信道，Pd功耗为125 W，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为90 ns，上升时间为70 ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为21A，Vds漏极-源极击穿电压为200V，Rds漏极源极导通电阻为130mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为250nS。
BUZ30A H是MOSFET N-Ch 200V 21A TO220FP-3，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在200 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.211644盎司，提供晶体管类型功能，如1 N沟道，晶体管极性设计为在N沟道工作，以及SIPMOS商标，该器件也可以用作Si技术。此外，该系列为BUZ30，器件的漏极电阻为130 mOhms Rds，器件具有125 W的Pd功耗，零件别名为BUZ30AHXK BUZ30AXKSA1 SP000682990，包装为管，包装箱为TO-220-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最低工作温度范围为-55 C，它的最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为21A，配置为单一。
BUZ30A是INFINEON制造的MOSFET N-CH 200V 21A TO-220AB。BUZ30A在TO-220-3封装中提供，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 200V 21A TO-220AB、N沟道200V 21B（Tc）125W（Tc）通孔PG-TO-220-3。
