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MCP6562-E/MS是IC COMP DUAL 1.8V PP 8-MSOP，包括模拟比较器产品，它们设计用于通用型，包装如数据表注释所示，用于管替代包装，提供单位重量功能，如0.004938盎司，安装类型设计用于SMD/SMT，以及8-TSSOP，8-MSOP（0.118“，3.00mm宽）包装箱，其工作温度范围为-40°C~125°C。此外，安装类型为表面安装，该器件采用CMOS、推挽式、轨对轨、TTL输出类型，该器件具有2个通道数，供应商器件封装为8-MSOP，单双电源电压为1.8V~5.5V，元件数为2，电压输入偏置最大值为10mV@5.5V，电流输入偏置最大为1pA@5.5V，电流输出Typ为50mA，电流静态最大值为130μA，CMRR PSRR Typ为66dB CMRR，70dB PSRR，传播延迟最大值为80ns，滞后为5mV，最大工作温度范围为+125 C，最小工作温度范围-40 C，工作电源电流为130 uA，电源电压最大值为5.5 V，电源电压Min为1.8V，Ib输入偏置电流为1pA，Vos输入偏置电压为3mV，Ios输入偏置电流是1pA、传播延迟时间为45ns，PSRR电源抑制比为70dB，CMRR共模抑制比为66dB。
MCP6562-E/SN是IC COMP DUAL 1.8V PP 8-SOIC，包括10mV Vos输入偏置电压，它们设计用于1.8 V~5.5 V单双电源，最大电压输入偏置如数据表注释所示，用于10mV@5.5V，提供单位重量功能，如0.005044 oz，类型设计用于通用用途，以及1.8 V最小电源电压，该器件也可以用作5.5V电源电压最大值。此外，供应商器件封装为8-SOIC，该器件提供70dB PSRR电源抑制比，该器件具有45ns的传播延迟时间，传播延迟最大值为80ns，产品为模拟比较器，封装为管交替封装，封装外壳为8-SOIC（0.154“，3.90mm宽），输出类型为CMOS、推挽式、轨对轨TTL，其工作温度范围为-40°C~125°C，工作电源电流为130 uA，元件数量为2，通道数量为2通道，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，其最小工作温度范围是-40 C，它的最大工作温度范围为+125℃，Ios输入偏置电流为1 pA，Ib输入偏置电流是1 pA。滞后为5mV，电流静态最大值为130μA，电流输出典型值为50mA，电流输入偏置最大值为1pA@5.5V，CMRR PSRR典型值为66dB CMRR，70dB PSRR，CMRR共模抑制比为66dB。
MCP6562T-E/MS是IC COMP DUAL 1.8V PP 8-MSOP，包括66 dB CMRR共模抑制比，它们设计用于66dB CMRR、70dB PSRR CMRR PSRR类型，数据表注释中显示了用于1pA@5.5V的电流输入偏置最大值，提供电流输出类型特性，如50mA，电流静态最大值设计用于130μa，以及5mV滞后，该器件也可用作1pA Ib输入偏置电流，其最大工作温度范围为+125℃，最小工作温度范围-40℃，该器件具有安装型表面安装，通道数为2通道，元件数为2，其工作温度范围在-40℃~125℃，输出类型为CMOS，推挽式，Rail-to-Rail、TTL和包装箱为8-TSSOP，8-MSOP（0.118“，3.00mm宽），包装为Digi-ReelR交替包装，产品为模拟比较器，传播延迟最大值为80ns，PSRR电源抑制比为70dB，供应商设备包装为8-MSOP，电源电压最大值为5.5V，电源电压最小值为1.8V，类型为通用型，电压输入偏移最大值为10mV@5.5V，单双电源电压为1.8V~5.5V，Vos输入偏置电压为10mV。
MCP6562T-E/SN是IC COMP DUAL 1.8V PP 8-SOIC，包括磁带和卷轴（TR）交替封装，它们设计用于表面安装安装型，类型如数据表注释所示，用于通用用途，提供输出型功能，如CMOS、推挽、轨对轨、TTL。产品设计用于模拟比较器，以及8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）封装盒，该器件也可用作8-SOIC供应商器件封装。此外，传播延迟最大值为80ns，该器件提供70 dB PSRR电源抑制比，该器件具有66dB CMRR，70dB PSRR的CMRR PSRR类型，CMRR共模抑制比为66dB，滞后为5mV，电流输出类型为50mA，电源电压最大值为5.5V，其工作温度范围为-40°C~125°C，通道数为2通道，元件数为2，电流输入偏置最大值为1pA@5.5V，电流静态最大值为130μA，电压输入偏置最大为10mV@5.5V、Vos输入偏置电压为10mV，单电源电压为1.8V~5.5V，电源电压最小值为1.8V，Ib输入偏置电流为1pA，它的最大工作温度范围为+125℃，最小工作温度范围是-40℃。
