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SBC847BPDW1T3G带有引脚细节，包括BC847BP系列，它们设计用于带卷（TR）包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.000265盎司，提供SMD/SMT等安装类型功能，包装盒设计用于6-TSSOP、SC-88、SOT-363以及表面安装安装类型，该设备也可以用作SC-88/SC70-6/SOT-363供应商设备包。此外，该配置为双重配置，该设备提供380mW最大功率，该设备具有晶体管型NPN、PNP，集电极Ic最大值为100mA，集电极-发射极击穿最大值为45V，直流电流增益hFE最小Ic Vce为200@2mA，5V，Vce饱和最大值Ib Ic为600mV@5mA，100mA/650mV@5mA、100mA，集电极截止电流最大值为15nA（ICBO），频率转换为100MHz，Pd功耗为380 mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，集电极-发射极电压VCEO最大值为45 V，晶体管极性为NPN PNP，集电极/发射极饱和电压为0.6 V，集电极基极电压VCBO为50V，发射极基极电压VEBO为6V-5V，最大直流集电极电流为100mA，增益带宽乘积fT为100MHz，直流集电极基基增益hfe Min在5V时为200mA时为200，直流电流增益hfe Max在5V时2mA时为450。
SBC847BPDW1T1G是TRANS NPN/PNP 45V 0.1A SOT-363，包括45V集电极-发射极击穿最大值，设计用于在600mV@5mA、100mA Vce饱和最大值Ib Ic下工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.000265 oz，提供晶体管类型功能，如NPN、PNP，晶体管极性设计用于NPN PNP，以及SC-88/SC70-6/SOT-363供应商设备包，该设备也可以用作BC847BP系列。此外，功率最大值为380mW，该设备提供380 mW Pd功耗，该设备具有Digi-ReelR替代包装，包装箱为6-TSSOP、SC-88、SOT-363，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，最低工作温度范围为-55 C，最高工作温度范围+150 C，增益带宽乘积fT为100 MHz，频率转换为100MHz，发射极基极电压VEBO为6 V-5 V，直流电流增益hFE最小Ic Vce为200@2mA，5V，集电极Ic最大值为100mA，集电极截止电流最大值为15nA（ICBO），连续集电极电流为0.1 A，配置为Dual，集电极-发射极电压VCEO Max为45 V，集电极-发射器饱和电压为0.6 V-0.65 V，集极基极电压VCBO为50 V。
SBC847BPDXV6T1G带有电路图，包括15nA（ICBO）集流器最大截止电流，它们设计用于100mA集流器Ic Max，DC电流增益hFE Min Ic Vce，如数据表注释所示，用于200@2mA，5V，提供100MHz等频率转换功能，安装类型设计用于表面安装，以及SOT-563，SOT-666包装箱，该设备也可以用作胶带和卷轴（TR）包装。此外，功率最大值为357mW，该器件采用BC847BPDXV6系列，该器件具有供应商器件封装的SOT-563，晶体管极性为PNP，晶体管类型为NPN、PNP，Vce饱和最大值Ib Ic为600mV@5mA、100mA/650mV@5mA和100mA，集电极-发射极击穿最大值为45V。
SBC847BWT1G是双极晶体管-BJT SSP XSTR SC-70 NPN，包括卷筒封装，它们设计用于NPN晶体管极性，系列如数据表注释所示，用于BC847BW。
