TLE207x系列JFET输入运算放大器的带宽是TL07x和TL08x系列BiFET运算放大器的两倍多，转换速率是其三倍。德州仪器Excalibur工艺产生的典型噪声下限为11.6 nV/赫兹，17 nV/赫兹确保最大化，为使用TL07x设计的噪声敏感电路提供即时改进。TLE207x还具有更宽的电源电压轨，将BiFET电路的动态信号范围增加到±19 V。偏置电压的片上齐纳微调可在直流耦合应用中获得更高精度的精度等级。TLE207x与低性能BiFET运算放大器引脚兼容，便于在现有设计中提高性能。
BiFET运算放大器提供JFET输入晶体管固有的更高输入阻抗，而不牺牲与双极放大器相关的输出驱动。这使得它们更适合与高阻抗传感器或非常低电平的交流信号连接。它们还具有固有的比具有类似功耗的双极或CMOS器件更好的交流响应。
TLE207x系列BiFET放大器是德州仪器公司（Texas Instruments）性能最高的BiFET，具有更严格的输入偏置电压，并确保了最大的噪声规格。要求不太严格的规范但寻求TLE207x改进交流特性的设计者应考虑TLE208x运算放大器系列。
因为BiFET运算放大器设计用于双电源，所以在单电源工作时，必须注意观察共模输入电压限制和输出摆动。需要输入信号的DC偏置，负载应终止于中间电源的虚拟接地节点。Texas Instruments TLE2426集成虚拟接地发生器在单电源操作BiFET放大器时非常有用。
TLE207x完全规定为±15 V和±5 V。对于低压和/或单电源系统中的操作，建议使用德州仪器LinCMOS系列运算放大器（TLC-和TLV前缀）。当从BiFET转向CMOS放大器时，应特别注意转换速率和带宽要求以及输出负载。
特色
- 直接升级到TL05x、TL07x和
TL08x BiFET运算放大器 - 大于2×带宽（10 MHz）和
3倍于TL07x的转换速率（45 V/µs） - 确保最大噪声下限17 nV/赫兹
- 片上偏置电压微调
改进的DC性能 - 更宽的供电轨增加了动力
信号范围至±19 V
