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TLE2072IP是IC OPAMP JFET 10MHZ 8DIP，包括TLE2072系列，它们设计用于操作运算放大器产品，包装如数据表注释所示，用于管中，提供0.015535盎司等单位重量功能，安装样式设计用于通孔，以及BiFET技术，该设备也可以用作2信道数信道。此外，放大器类型为宽带放大器，该设备在无停机停机模式下提供，其最大工作温度范围为+85℃，最小工作温度范围-40℃，工作电源电流为3.9 mA，电源电压最大值为38 V，电源电压最小值为4.5 V，包装箱为PDIP-8，Ib输入偏置电流为175 pA，Vos输入偏置电压为6mV，Vcm共模电压为负轨+4V至正轨，每通道输出电流为48mA，CMRR共模抑制比为70dB，GBP增益带宽积为9.4MHz，SR转换率为35V/us，输入电压噪声密度为28nV/sqrt Hz，输入噪声电流密度为0.0028pA/sqrt Hz，最大双电源电压为+/-19 V，最小双电源电压是+/-2.25 V。
TLE2072IDR是IC OPAMP JFET 10MHZ 8SOIC，包括6 mV Vos输入偏置电压，它们设计为在0.002677 oz单位重量下工作。数据表说明中显示了用于BiFET的技术，该BiFET提供最小电源电压功能，如4.5 V，最大电源电压设计为38 V，以及35 V/us SR转换率，该设备也可以用作无关机关机。此外，该系列为TLE2072，该器件以运算放大器产品提供，该器件具有一卷封装，封装外壳为SOIC-8，每个通道的输出电流为48 mA，工作电源电流为3.9 mA，通道数量为2通道，安装类型为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-40 C，最小双电源电压为+/-2.25 V，最大工作温度范围为+85 C，最大双电源电压+/-19 V，输入噪声电流密度为0.0028 pA/sqrt Hz，Ib输入偏置电流为175 pA，GBP增益带宽积为9.4 MHz，输入电压噪声密度为28 nV/sqrt Hz。共模抑制比为70 dB，放大器类型为宽带放大器。
TLE2072IDRG4是由TI制造的IC OPAMP JFET 10MHZ 8SOIC。TLE2072 IDRG4采用8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）封装，是IC芯片的一部分，支持IC OPMP JFET 10MHZ 8SOIC、J-FET放大器2电路8-SOIC、运算放大器双GP±19V 8引脚SOIC T/R。
