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TLV2342IDR

  • 描述:放大器的种类: 互补型金属氧化物半导体 电线数量: two 增益带宽积: 1.7兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -40摄氏度~85摄氏度 安装类别: 表面安装
  • 品牌: 德州仪器 (Texas)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 216

  • 库存: 45000
  • 单价: ¥10.06763
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥2,174.61
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规格参数

  • 制造厂商 德州仪器 (Texas)
  • 电线数量 two
  • 输出类别 -
  • 3db 频段宽度 -
  • 输出电流 / 通道 30毫安
  • 工作温度 -40摄氏度~85摄氏度
  • 安装类别 表面安装
  • 包装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90毫米 Width)
  • 供应商设备包装 8-SOIC
  • 放大器的种类 互补型金属氧化物半导体
  • 最小电源电压 2伏
  • 电压输入偏移 1.1 mV
  • 电流输入偏置 0.6 pA
  • 压摆率 3.6伏/s
  • 增益带宽积 1.7兆赫
  • 最大电源电压 8 V
  • 工作电流 1.4毫安(x2个通道)
  • 部件状态 过时的

TLV2342IDR 产品详情

TLV234x运算放大器属于专门设计用于低压单电源应用的器件系列。与该系列中的其他产品不同,TLV234x的设计主要是为了满足苛刻的功耗规格,其开发目的是在单电源轨工作时提供接近BiFET运算放大器的交流性能。在3V电压下,TLV234x的典型转换速率为2.1V/us,单位增益带宽为790kHz。

每个放大器在最低电源电压为2 V时都能正常工作,并在-40°C至85°C的温度范围内,在3 V和5 V电源下进行了充分的表征、测试和规定。共模输入电压范围包括负轨并延伸到正轨的1V以内。

通过使用德州仪器硅栅LinCMOS技术,实现了低电压和低功耗操作。LinCMOS工艺还具有极高的输入阻抗和超低的输入偏置电流。这些参数与良好的交流性能相结合,使TLV234x在高频滤波器和宽带传感器等应用中发挥作用。

为了方便小型便携式设备的设计,TLV234x提供了多种封装选项,包括小外形和薄收缩小外形封装(TSSOP)。与标准表面贴装封装相比,TSSOP封装的尺寸显著减小。它的最大高度仅为1.1毫米,因此在空间有限的情况下特别引人注目。

设备输入和输出设计为可承受-100 mA电流,而无需持续闭锁。TLV234x包含内部ESD保护电路,可防止根据MIL-PRF-38535方法3015.2测试的电压高达2000 V时的功能故障;然而,在处理这些设备时应小心,因为暴露于ESD可能会导致设备参数性能下降。

特色

  • 规定温度范围内的宽范围电源电压:
  • -40°C至85°C。。。2 V至8 V
  • 在3 V和5 V下完全表征
  • 单电源操作
  • 共模输入电压范围扩展到负轨以下,最高可达V-25°C时为1 V
  • 输出电压范围包括负轨
  • 高输入阻抗。。。1012 典型的
  • ESD保护电路
  • 闩锁抗扰度设计
  • LinCMOS是德州仪器公司的商标。

TLV2342IDR所属分类:仪表/运算/缓冲放大器,TLV2342IDR 由 德州仪器 (Texas) 设计生产,可通过久芯网进行购买。TLV2342IDR价格参考¥10.067631,你可以下载 TLV2342IDR中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询TLV2342IDR规格参数、现货库存、封装信息等信息!

德州仪器 (Texas)

德州仪器 (Texas)

德州仪器公司(TI)是一家开发模拟IC和嵌入式处理器的全球半导体设计和制造公司。通过雇用世界上最聪明的人,TI创造了塑造技术未来的创新。如今,TI正在帮助超过10万名客户改变未来。

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