这是第一个将匹配良好的高压JFET与标准双极晶体管（BI-FET）集成在同一芯片上的单片JFET输入运算放大器™ 技术）。
这些放大器具有低输入偏置和偏置电流/低偏置电压和偏置电压漂移，以及不会降低漂移或共模抑制的偏置调整。
该器件还设计用于高转换速率、宽带宽、极快的稳定时间、低电压和电流噪声以及低1/f噪声角。
特色
说明
这是第一个将匹配良好的高压JFET与标准双极晶体管（BI-FET）集成在同一芯片上的单片JFET输入运算放大器™ 技术）。这些放大器具有低输入偏置和偏置电流/低偏置电压和偏置电压漂移，以及不会降低漂移或共模抑制的偏置调整。该器件还设计用于高转换速率、宽带宽、极快的稳定时间、低电压和电流噪声以及低1/f噪声角。
特点优势
·更换昂贵的混合和模块FET运算放大器
·与MOSFET输入器件相比，坚固的JFET允许无爆裂处理
·非常适合使用高或低源阻抗的低噪声应用，非常低的1/f角
·偏移调整不会像大多数单片放大器那样降低漂移或共模抑制
·新的输出级允许使用大容量负载（5000 pF）而不存在稳定性问题
·内部补偿和大差分输入电压能力
应用
·精密高速积分器
·快速D/A和A/D转换器
·高阻抗缓冲器
·宽带、低噪声、低漂移放大器
·对数放大器
·光电管放大器
·采样和保持电路
（图片：引出线）
