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SE5230DR2G是IC OPAMP GP 600KHZ RRO 8SOIC,包括NE5230系列,它们设计用于操作运算放大器产品,包装如数据表说明所示,用于卷筒,提供单位重量功能,如0.006596盎司,安装样式设计用于SMD/SMT,以及双极技术,该设备也可以用作1信道数信道。此外,放大器类型为低压放大器,该设备在无关机关机模式下提供,其最大工作温度范围为+125 C,最小工作温度范围-40 C,工作电源电流为1.1 mA,电源电压最大值为15 V,电源电压最小值为1.8 V,封装外壳为SOIC窄-8,Ib输入偏置电流为150 nA,Vos输入偏置电压为3 mV,PSRR电源抑制比为85 dB,每通道输出电流为32 mA,CMRR共模抑制比为85dB,GBP增益带宽积为600 kHz,SR转换率为0.25 V/us,输入电压噪声密度为60 nV/sqrt Hz,最大双电源电压为+/-7.5 V,最小双电源电压则为+/-0.9 V。
SE521F,带有PHI制造的用户指南。SE521F采用DIP14封装,是IC芯片的一部分。
带有电路图的SE521F.NE521是IC芯片的一部分。
SE5230DG是ON Semiconductor制造的运算放大器-运算放大器低压运算放大器。SE5230DG采用SOIC-8封装,是线性放大器-仪表、运算放大器、缓冲放大器的一部分,并支持运算放大器-运算放大器-低压运算放大器、通用放大器1电路轨对轨8-SOIC、运算放大器单GP±7.5V/15V 8引脚SOIC N管。