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NE521DR2G

  • 描述:种类: 差别的 最大传输延迟: 12ns 输出类别: 晶体管-晶体管逻辑电路 供应商设备包装: 14-SOIC 工作温度: 0摄氏度~70摄氏度 安装类别: 表面安装
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 55.69790 55.69790
10+ 50.28745 502.87455
25+ 47.94799 1198.69995
100+ 41.63146 4163.14650
250+ 39.76062 9940.15600
500+ 38.61334 19306.67400
2500+ 38.61334 96533.37000
  • 库存: 0
  • 单价: ¥20.35255
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥55.70
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 元件数量 two
  • CMRR,PSRR(特征值) -
  • 滞后现象 -
  • 安装类别 表面安装
  • 典型输出电流 -
  • 工作温度 0摄氏度~70摄氏度
  • 包装/外壳 14-SOIC(0.154“,3.90毫米宽)
  • 最大静态电流 35毫安
  • 供应商设备包装 14-SOIC
  • 种类 差别的
  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 电源电压,单/双电源电压(±) ±4.75V ~ 5.25V
  • 输出类别 晶体管-晶体管逻辑电路
  • 最大输入电压偏移 7.5mV @ ±4.75V
  • 最大输入电流偏置 20A @ ±5.25V
  • 最大传输延迟 12ns

NE521DR2G 产品详情

NE521DR2G是一种高速、双差分、比较器/感测放大器。

特色

  • 12 ns最大保证传播延迟
  • 20µA最大输入偏置电流
  • TTL兼容选通和输出
  • 大共模输入电压范围
  • 在标准电源电压下工作

应用

  • MOS存储器感测放大器
  • A-D转换


(图片:引出线)

NE521DR2G所属分类:模拟信号比较器,NE521DR2G 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。NE521DR2G价格参考¥20.352549,你可以下载 NE521DR2G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询NE521DR2G规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安盛美 (onsemi)

安盛美 (onsemi)

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

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