M40SZ100WMQ6E NVRAM控制器是一个独立的设备,可将标准低功耗SRAM转换为非易失性存储器。精密电压基准和比较器监控电压科科斯群岛超出公差条件的输入。
当V无效时科科斯群岛条件发生时,条件芯片启用输出(ECON)被强制为非活动以写保护SRAM中存储的数据。在电源故障期间,SRAM从V科科斯群岛以提供数据保持所需的能量。在随后通电时,SRAM保持写保护,直到返回有效的电源条件。
特色
- 五、科科斯群岛=2.7至3.6 V;2.55伏≤伏功率因数检测器≤2.70伏
- 无铅二级互连
起订量: 1
温馨提示: 请填写以下信息,以便客户代表及时与您沟通联系。
M40SZ100WMQ6E NVRAM控制器是一个独立的设备,可将标准低功耗SRAM转换为非易失性存储器。精密电压基准和比较器监控电压科科斯群岛超出公差条件的输入。
当V无效时科科斯群岛条件发生时,条件芯片启用输出(ECON)被强制为非活动以写保护SRAM中存储的数据。在电源故障期间,SRAM从V科科斯群岛以提供数据保持所需的能量。在随后通电时,SRAM保持写保护,直到返回有效的电源条件。
意法半导体是一家全球独立的半导体公司,在开发和提供微电子应用领域的半导体解决方案方面处于领先地位。硅和系统专业知识、制造实力、知识产权(IP)组合和战略合作伙伴的无与伦比的结合使该公司处于片上系统(So...