TLV2352IDR由两个独立的低功耗比较器组成，专门为单电源应用而设计，可与低至2V的电源轨一起工作。当由3V电源供电时，典型的电源电流仅为120uA。
TLV2352IDR采用德州仪器LinCMOS设计TM公司因此具有极高的输入阻抗（通常大于1012)，这允许与高阻抗源直接接口。输出为N沟道漏极开路配置，需要外部上拉电阻器来提供正输出电压摆动，并且可以连接它们以实现正逻辑接线与关系。TLV2352I在-40°C至85°C的工作温度下，在3 V和5 V下具有完全特性。TLV2352M在-55°C至125°C的工作温度下，具有3 V和5 V的特性。
TLV2352IDR具有内部静电放电（ESD）保护电路，并通过人体模型测试被分类为1000V ESD等级。然而，由于暴露于ESD可能导致设备参数性能下降，因此在处理该设备时应谨慎。
特色
- 电源电压范围广
2 V至8 V - 在3 V和5 V下完全表征
- 极低电源电流消耗
3V时为120 uA典型值 - 输出兼容TTL、MOS和CMOS
- 快速响应时间。TTL电平输入步长的200 ns典型值
- 高输入阻抗。1012类型
- 极低输入偏置电流
5 pA典型值 - 共模输入电压范围包括接地
- 内置ESD保护
LinCMOS是德州仪器公司的商标。
