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NCV2903DR2G

  • 描述:种类: 一般用途 最大传输延迟: 1.3s 输出类别: CMOS、DTL、ECL、MOS、集电极开路、TTL 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -40摄氏度~125摄氏度 安装类别: 表面安装
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 0.98286 0.98286
100+ 0.91405 91.40540
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    - +
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 元件数量 two
  • 输出类别 CMOS、DTL、ECL、MOS、集电极开路、TTL
  • 最大输入电流偏置 0.255V时
  • CMRR,PSRR(特征值) -
  • 种类 一般用途
  • 滞后现象 -
  • 最大静态电流 2.5毫安
  • 安装类别 表面安装
  • 电源电压,单/双电源电压(±) 2V ~ 36V, ±1V ~ 18V
  • 包装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90毫米 Width)
  • 工作温度 -40摄氏度~125摄氏度
  • 典型输出电流 16毫安 @ 5V
  • 供应商设备包装 8-SOIC
  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 最大输入电压偏移 7mV @ 30V
  • 最大传输延迟 1.3s

NCV2903DR2G 产品详情

NCV2903DR2G是一种低偏置电压双独立精密电压比较器,能够进行单电源或分电源操作。该设备设计为允许在单电源操作下实现共模范围至地面。低至2mV的输入偏置电压规格使该设备成为许多应用的最佳选择。

特色

  • 0.4mA极低漏电流,与电源电压无关
  • 输入共模范围至地面
  • 差分输入电压范围等于电源电压
  • 输出电压兼容DTL、ECL、TTL、MOS和CMOS逻辑电平
  • 输入端的ESD箝位增加了设备的耐用性,而不会影响性能


(图片:引出线)

NCV2903DR2G所属分类:模拟信号比较器,NCV2903DR2G 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。NCV2903DR2G价格参考¥0.982862,你可以下载 NCV2903DR2G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询NCV2903DR2G规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安盛美 (onsemi)

安盛美 (onsemi)

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

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