从Harris Semiconductor获得的数据表
描述“HC243”和“HCT243”硅栅CMOS三态双向非反相缓冲器用于数据总线之间的双向异步通信。它们具有高驱动电流输出，当驱动大的总线电容时能够实现高速操作。这些电路具有CMOS电路的低功耗，并且具有与低功耗肖特基TTL电路相当的速度。它们可以驱动15个LSTL负载。
输出启用（OEB、OEA）输入的状态决定了流向（A到B、B到A）和三态模式。
特色
- VCC=5V、CL=15pF、TA=25°C时的典型传播延迟（A至B、B至A）为7ns
- 三态输出
- 缓冲输入
- 扇出（超出温度范围）
- 标准输出。10 LSTTL荷载
- 总线驱动器输出。15 LSTL荷载
- 宽工作温度范围…–55°C至125°C
- 平衡传播延迟和过渡时间
- 与LSTL逻辑IC相比，显著降低了功耗
- HC类型
- 2V至6V操作
- 高噪声抗扰度：在VCC＝5V时，NIL＝30%，NIH＝VCC的30%
- HCT类型
- 4.5V至5.5V操作
- 直接LSTL输入逻辑兼容性，VIL=0.8V（最大值），VIH=2V（最小值）
- CMOS输入兼容性，在VOL、VOH时为Il 1μA
从Harris Semiconductor获得的数据表
描述“HC243”和“HCT243”硅栅CMOS三态双向非反相缓冲器用于数据总线之间的双向异步通信。它们具有高驱动电流输出，当驱动大的总线电容时能够实现高速操作。这些电路具有CMOS电路的低功耗，并且具有与低功耗肖特基TTL电路相当的速度。它们可以驱动15个LSTL负载。
输出启用（OEB、OEA）输入的状态决定了流向（A到B、B到A）和三态模式。
