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MCP6567T-E/SN是IC COMP DUAL 1.8V OD 8-SOIC，包括模拟比较器产品，设计用于通用型，数据表说明中显示了用于磁带和卷轴（TR）替代包装的包装，提供单位重量功能，如0.005044盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）包装箱，其工作温度范围为-40°C~125°C。此外，安装类型为表面安装，该器件采用CMOS、开放漏极输出类型，该器件有2个通道，通道数为8个，供应商器件封装为8-SOIC，单双电源电压为1.8 V~5.5 V，元件数为2个，电压输入偏置最大值为10mV@5.5V，电流输入偏置最大为1pA@5.5V，电流输出Typ为50mA，电流静态最大值为130μA，CMRR PSRR Typ为66dB CMRR，70dB PSRR，传播延迟最大值为80ns，滞后为5mV，关机为无关机，最大工作温度范围为+125 C，最小工作温度范围-40 C，电源电压最大值为5.5 V，电源电压最小值为1.8 V，Ib输入偏置电流为1pA，Vos输入偏置电压为10mV，PSRR电源抑制比为70dB，CMRR共模抑制比为66dB。
MCP6567-E/SN是IC COMP DUAL 1.8V OD 8-SOIC，包括10mV Vos输入偏置电压，设计用于1.8 V~5.5 V单双电源电压，最大电压输入偏置如数据表注释所示，用于10mV@5.5V，提供单位重量功能，如0.005044 oz，类型设计用于通用用途，以及1.8 V最小电源电压，该器件还可以用作5.5V电源电压最大值。此外，供应商器件封装为8-SOIC，该器件提供无关机关机模式，该器件具有70dB的PSRR电源抑制比，传播延迟最大值为80ns，产品为模拟比较器，封装为管交替封装，封装外壳为8-SOIC（0.154“，3.90mm宽），输出类型为CMOS，开放漏极，工作温度范围为-40°C~125°C，元件数量为2，通道数量为2通道，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，最小工作温度范围-40°C，最大工作温度范围+125 C，Ib输入偏置电流为1 pA，滞后为5mV，电流静态最大值为130μA，电流输出Typ为50mA，电流输入偏置最大值为1pA@5.5V，CMRR PSRR Typ为66dB CMRR，70dB PSRR，CMRR共模抑制比为66dB。
MCP6567T-E/MS是IC COMP DUAL 1.8V OD 8-MSOP，包括66 dB CMRR共模抑制比，设计用于66dB CMRR、70dB PSRR CMRR PSRR类型，数据表注释中显示了用于1pA@5.5V的电流输入偏置最大值，提供电流输出类型特性，如50mA，电流静态最大值设计用于130μa，以及5mV滞后，该器件也可以用作1pA Ib输入偏置电流，其最大工作温度范围为+125 C，最小工作温度范围-40 C，该器件具有安装类型的表面安装，安装类型为SMD/SMT，通道数为2通道，元件数为2，其工作温度范围在-40°C~125°C，输出类型为CMOS，漏极开路，封装盒为8-TSSOP，8-MSOP（0.118“，3.00mm宽），包装为胶带和卷筒（TR）交替封装，产品为模拟比较器，传播延迟最大值为80ns，PSRR电源抑制比为70dB，关机即不关机，供应商设备封装为8-MSOP，电源电压最大值为5.5V，电源电压最小值为1.8V，类型为通用型，电压输入偏移最大值为10mV@5.5V，单双电源电压为1.8V~5.5V，Vos输入偏置电压为10mV。
