“HC640”和“HCT640”硅栅CMOS三态双向反相和非反相缓冲器用于数据总线之间的双向异步通信。它们具有高驱动电流输出，当驱动大的总线电容时。这些电路具有CMOS电路的低功耗，并且具有与低功耗肖特基TTL电路相当的速度。它们可以驱动15个LSTL负载。“HC640”和“HCT640”是反相缓冲器。
数据流的方向（A到B，B到A）由DIR输入控制。
输出启用输入（OE\）上的低电平启用输出；高OE使这些设备处于高阻抗模式。
特色
- 缓冲输入
- 三态输出
- 多数据总线体系结构中的应用
- 扇出（超出温度范围）
- 标准输出。10 LSTTL荷载
- 总线驱动器输出。15 LSTL荷载
- 宽工作温度范围-55°C至125°C
- 平衡传播延迟和过渡时间
- 与LSTL逻辑IC相比，显著降低了功耗
- HC类型
- 2V至6V操作
- 高噪声抗扰度：在VCC＝5V时，NIL＝30%，NIH＝VCC的30%
- HCT类型
- 4.5V至5.5V操作
- 直接LSTL输入逻辑兼容性，VIL=0.8V（最大值），VIH=2V（最小值）
- CMOS输入兼容性，在VOL、VOH时Il≤1μA
“HC640”和“HCT640”硅栅CMOS三态双向反相和非反相缓冲器用于数据总线之间的双向异步通信。它们具有高驱动电流输出，当驱动大的总线电容时。这些电路具有CMOS电路的低功耗，并且具有与低功耗肖特基TTL电路相当的速度。它们可以驱动15个LSTL负载。“HC640”和“HCT640”是反相缓冲器。
数据流的方向（A到B，B到A）由DIR输入控制。
输出启用输入（OE\）上的低电平启用输出；高OE使这些设备处于高阻抗模式。
