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MC74VHC126DR2G

  • 描述:逻辑类型: 缓冲区,非反相 电源电压: 2伏~5.5伏 每个元件的位数: one 供应商设备包装: 14-SOIC 工作温度: -55摄氏度~125摄氏度(TA) 安装类别: 表面安装
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

展开

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 4.56302 4.56302
10+ 3.99083 39.90838
25+ 3.74602 93.65070
100+ 3.05722 305.72280
250+ 2.83979 709.94900
500+ 2.41681 1208.40550
1000+ 1.99505 1995.05700
2500+ 1.99505 4987.64250
  • 库存: 1790
  • 单价: ¥4.70789
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥4.56
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规格参数

  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 部件状态 可供货
  • 逻辑类型 缓冲区,非反相
  • 输出类别 三态
  • 输入类别 -
  • 安装类别 表面安装
  • 元件数量 four
  • 每个元件的位数 one
  • 输出高电流, 输出低电流 8毫安, 8毫安
  • 电源电压 2伏~5.5伏
  • 包装/外壳 14-SOIC(0.154“,3.90毫米宽)
  • 供应商设备包装 14-SOIC
  • 工作温度 -55摄氏度~125摄氏度(TA)

MC74VHC126DR2G 产品详情

MC74VHC126DR2G是一种采用硅栅CMOS技术制造的高速CMOS四总线缓冲器。它实现了类似于等效双极肖特基TTL的非反相高速操作,同时保持CMOS低功耗。MC74VHC126DR2G要求将三态控制输入(OE)设置为低,以将输出设置为高阻抗。内部电路由三个级组成,包括一个缓冲输出,提供高抗噪性和稳定输出。输入可承受高达7V的电压,允许5V系统与3V系统之间的接口。

特色

  • 高速:VCC=5V时,tPD=3.8ns(Typ)
  • 低功耗:TA=25°C时ICC=4mA(最大值)
  • 高噪声抗扰度:VNIH=VNIL=28%VCC
  • 在输入端提供断电保护
  • 平衡传播延迟
  • 设计用于2V至5.5V工作范围
  • 低噪声:VOLP=0.8V(最大值)
  • 引脚和功能与其他标准逻辑系列兼容
  • 闭锁性能超过300mA
  • ESD性能:HBM>2000V;机器型号>200V
  • 芯片复杂性:72个FET或18个等效栅极
  • 这些设备采用无铅包装。本规范适用于标准和无铅设备。请访问我们的网站www.onsemi.com以获取特定的无铅可订购零件号,或联系您当地的ON Semiconductor销售办事处或代表。


(图片:引出线)

MC74VHC126DR2G所属分类:逻辑接收/发送/驱动/缓冲器,MC74VHC126DR2G 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。MC74VHC126DR2G价格参考¥4.707885,你可以下载 MC74VHC126DR2G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询MC74VHC126DR2G规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安盛美 (onsemi)

安盛美 (onsemi)

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

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