根据JEDEC标准JESD-17，锁存性能超过500 mA
根据MIL-STD-883方法3015，ESD保护超过2000 V；使用机器型号时超过200 V（C=200 pF，R=0）
VCC=5 V，TA=25°C时，典型VOLP（输出接地弹跳）<1 V
高驱动输出（−32 mA IOH，64 mA IOL）
封装选项包括塑料小轮廓（DW）、收缩小轮廓（DB）和薄收缩小轮廓封装（PW）、陶瓷芯片载体（FK）、塑料（N）和陶瓷（J）DIP以及陶瓷扁平（W）封装
描述
这些八进制缓冲器和线路驱动器专门设计用于提高三态存储器地址驱动器、时钟驱动器以及面向总线的接收器和发射器的性能和密度。与SN54ABT240、SN74ABT240A、SN54ABT141和SN74ABT141A一起，这些器件提供了反相和非反相输出、对称有源低输出使能（OE）输入以及互补OE和OE输入的选择组合。
SN54ABT244和SN74ABT244ANSR被组织为具有单独OE输入的两个4位缓冲器/线驱动器。当OE较低时，设备将非反相数据从A输入传递到Y输出。当OE高时，输出处于高阻抗状态。
为确保通电或断电期间的高阻抗状态，OE应通过上拉电阻器连接到VCC；电阻器的最小值由驱动器的电流吸收能力确定。
SN54ABT244的特点是在−55°C至125°C的整个军事温度范围内工作。SN74ABT244ANSR的工作温度为−40°C至85°C。
特色
- 最先进的EPIC-IIB？BiCMOS设计显著降低功耗
- 根据JEDEC标准JESD-17，锁存性能超过500 mA
- 根据MIL-STD-883方法3015，ESD保护超过2000 V；使用机器型号时超过200 V（C=200 pF，R=0）
- VCC=5 V，TA=25°C时，典型VOLP（输出接地弹跳）<1 V
- 高驱动输出（-32 mA IOH，64 mA IOL）
- 封装选项包括塑料小轮廓（DW）、收缩小轮廓（DB）和薄收缩小轮廓封装（PW）、陶瓷芯片载体（FK）、塑料（N）和陶瓷（J）DIP以及陶瓷扁平（W）封装
EPIC-IIB是德州仪器的商标。
描述这些八进制缓冲器和线路驱动器专门设计用于提高三态存储器地址驱动器、时钟驱动器以及面向总线的接收器和发射器的性能和密度。与SN54ABT240、SN74ABT240A、SN54ABT141和SN74ABT141A一起，这些设备提供了反相和非反相输出、对称有源低输出使能（OE）\输入以及互补OE和OE\输入的选择组合。
SN54ABT244和SN74ABT244A被组织为具有单独OE\输入的两个4位缓冲器/线驱动器。当OE\低时，设备将非反相数据从A输入传递到Y输出。当OE\高时，输出处于高阻抗状态。
为确保通电或断电期间的高阻抗状态，OE\应通过上拉电阻器连接到VCC；电阻器的最小值由驱动器的电流吸收能力确定。
SN54ABT244的特点是在-55°C至125°C的全军事温度范围内工作。SN74ABT244A的工作温度为-40°C至85°C。
（图片：引线/示意图）
