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GS61008T-E01-TY，带引脚细节，包括托盘封装，设计用于SMD/SMT安装方式，技术如数据表注释所示，用于GaN，提供信道数功能，如1信道，配置设计用于单信道，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C。此外，Vgs栅极-源极电压为10 V，该器件提供80 A Id的连续漏极电流，该器件具有100 V的Vds漏极-源极击穿电压，第Vgs栅极源极阈值电压为1.6 V，Rds漏极源极电阻为7.4 mΩ，晶体管极性为N沟道，沟道模式为增强型。
GS6105D和SYSTEMGE制造的用户指南。GS6105D采用DIP20封装，是IC芯片的一部分。
GS6105DZ，电路图由SYSTEMGE制造。GS6105DZ采用DIP20封装，是IC芯片的一部分。
