这些八进制收发器专门设计用于低电压（3.3V）VCC操作，但具有向5V系统环境提供TTL接口的能力。
'LVT543包含两组D型锁存器，用于临时存储沿任一方向流动的数据。为每个寄存器提供单独的锁存使能（或）和输出使能（或者）输入，以允许在数据流的任一方向上进行独立控制。
为了从A输入数据或从B输出数据，A-to-B使能（）输入必须为低电平。如果为低电平，则A-to-B锁存器是透明的；随后a锁存器在存储模式中的输出从低到高的转变。在低电平和低电平的情况下，3态B输出为激活状态，并反映A锁存器输出端的数据。从B到A的数据流类似，但需要使用、和输入。
提供有源总线保持电路以将未使用或浮动数据输入保持在有效逻辑电平。
为确保通电或断电期间的高阻抗状态，应通过上拉电阻器连接到VCC；电阻器的最小值由驱动器的电流吸收能力确定。
SN74LVT543DW在TI的收缩小外形封装（DB）中提供，该封装在不到一半的印刷电路板面积内提供与标准小外形封装相同的I/O引脚数和功能。
SN54LVT543的特点是在-55°C至125°C的全军事温度范围内运行。SN74LVT543DW的工作温度为-40°C至85°C。
特色
- 先进的BiCMOS技术（ABT）设计，3.3V操作，低静态功耗
- 支持混合模式信号操作（具有3.3V VCC的5V输入和输出电压）
- 支持低至2.7 V的无调节电池操作
- VCC=3.3 V，TA=25°C时，典型VOLP（输出接地弹跳）<0.8 V
- 根据MIL-STD-883C方法3015，ESD保护超过2000 V；使用机器型号时超过200 V（C=200 pF，R=0）
- 根据JEDEC标准JESD-17，锁存性能超过500 mA
- 总线保持数据输入无需外部上拉电阻器
- 支持带电插入
- 封装选项包括塑料小轮廓（DW）、收缩小轮廓（DB）和薄收缩小轮廓封装（PW）、陶瓷芯片载体（FK）和陶瓷（JT）DIP
