CD74FCT244和CD74FCT 244ATM是八进制缓冲器/线驱动器，使用小几何BiCMOS技术，具有三态输出。输出级是双极晶体管和CMOS晶体管的组合，将输出高电平限制为低于VCC的两个二极管压降。由此产生的输出摆幅降低（0 V至3.7 V）减少了电源总线振铃[电磁干扰（EMI）源]，并最小化了VCC弹跳和接地弹跳及其在同时输出切换期间的影响。输出配置还提高了开关速度，能够吸收64mA。
这些设备被组织为两个4位缓冲器/线驱动器，具有单独的低输出激活（OE\）输入。当OE\低时，设备将数据从A输入传递到Y输出。当OE\高时，输出处于高阻抗状态。
为确保通电或断电期间的高阻抗状态，OE\应通过上拉电阻器连接到VCC；电阻器的最小值由驱动器的电流吸收能力确定。
特色
- 低静态功耗BiCMOS技术
- 缓冲输入
- 非反相输出
- VCC的输入/输出隔离
- 受控输出边缘速率
- 64 mA输出吸收电流
- 输出电压摆动限制为3.7 V
- 可控硅抗锁存BiCMOS工艺及电路设计
CD74FCT244和CD74FCT 244AT是使用小几何BiCMOS技术的具有三态输出的八进制缓冲器/线驱动器。输出级是双极晶体管和CMOS晶体管的组合，将输出高电平限制为低于VCC的两个二极管压降。由此产生的输出摆幅降低（0 V至3.7 V）减少了电源总线振铃[电磁干扰（EMI）源]，并最小化了VCC弹跳和接地弹跳及其在同时输出切换期间的影响。输出配置还提高了开关速度，能够吸收64mA。
这些设备被组织为两个4位缓冲器/线驱动器，具有单独的低输出激活（OE\）输入。当OE\低时，设备将数据从A输入传递到Y输出。当OE\高时，输出处于高阻抗状态。
为确保通电或断电期间的高阻抗状态，OE\应通过上拉电阻器连接到VCC；电阻器的最小值由驱动器的电流吸收能力确定。
