该单施密特触发器缓冲器设计用于1.65V至5.5V VCC操作。
SN74LVC1G17DCKR设备包含一个缓冲器，并执行布尔函数Y=A。
CMOS器件具有高输出驱动，同时在宽Vcc操作范围内保持低静态功耗。
SN74LVC1G17DCKR有多种封装，包括机身尺寸为0.8mm×0.8mm的超小型DPW封装。
特色
- 可提供0.64平方毫米的超小型封装（DPW），间距0.5毫米
- 支持5V VCC操作
- 输入接受电压为5.5 V
- 3.3 V时的最大tpd为4.6 ns
- 低功耗，10μA最大ICC
- 3.3 V时±24 mA输出驱动
- Ioff支持带电插入、部分断电模式和反向驱动保护
- 闩锁性能超过100 mA，符合JESD 78，II级
- ESD保护超过JESD 22
- 2000-V人体模型（A114-A）
- 200-V机器型号（A115-A）
- 1000V带电装置型号（C101）
该单施密特触发器缓冲器设计用于1.65V至5.5V VCC操作。
SN74LVC1G17设备包含一个缓冲器，并执行布尔函数Y=A。
CMOS器件具有高输出驱动，同时在宽Vcc操作范围内保持低静态功耗。
SN74LVC1G17有多种封装，包括机身尺寸为0.8mm×0.8mm的超小型DPW封装。
