LVTH16373器件是16位透明D型锁存器，具有设计用于低电压（3.3V）VCC操作的3态输出，但具有向5V系统环境提供TTL接口的能力。这些设备特别适合于实现缓冲寄存器、I/O端口、双向总线驱动器和工作寄存器。
这些器件可以用作两个8位锁存器或一个16位锁存。当锁存使能（LE）输入为高时，Q输出跟随数据（D）输入。当LE为低电平时，Q输出锁存在D输入设置的电平。
缓冲输出使能（OE）输入可用于将八个输出置于正常逻辑状态（高或低逻辑电平）或高阻抗状态。在高阻抗状态下，输出既不负载也不显著驱动总线。高阻抗状态和增加的驱动提供了在没有接口或上拉部件的情况下驱动总线的能力。
OE不会影响锁存器的内部操作。当输出处于高阻抗状态时，可以保留旧数据或输入新数据。
有源总线保持电路将未使用或未驱动的输入保持在有效逻辑状态。不建议在总线保持电路中使用上拉或下拉电阻器。
当VCC介于0和1.5 V之间时，设备在通电或断电期间处于高阻抗状态。然而，为了确保1.5 V以上的高阻抗状态，OE应通过上拉电阻器连接到VCC；电阻器的最小值由驱动器的电流吸收能力确定。
这些设备完全指定用于使用Ioff和通电3状态的热插拔应用。Ioff电路禁用输出，防止设备断电时损坏电流回流。加电三态电路在加电和断电期间将输出置于高阻抗状态，从而防止驱动器冲突。
特色
- 德州仪器Widebus家族成员
- 用于3.3V操作和低静态功耗的先进BiCMOS技术（ABT）设计
- 支持混合模式信号操作（5V输入和输出电压，3.3V VCC）
- 支持低至2.7 V的无调节电池操作
- VCC=3.3 V，TA=25°C时，典型VOLP（输出接地弹跳）<0.8 V
- 关闭和通电3状态支持热插拔
- 总线保持数据输入无需外部上拉/下拉电阻器
- 分布式VCC和GND引脚最小化高速开关噪声
- 流程式架构优化PCB布局
- 根据JESD 17，锁存性能超过500 mA
- ESD保护超过JESD 22
- 2000-V人体模型（A114-A）
- 200-V机器型号（A115-A）
