特色
- 高速：V CC=5V时，tPD=3.5ns（典型值）
- 低功耗：TA=25°C时ICC=1µA（最大值）
- TTL兼容输入：VIL=0.8V；振动=2.0伏
- CMOS兼容输出：VOH>0.8VCC；VOL<0.1VCC@负载
- 输入和输出上提供的断电保护
- 平衡传播延迟
- 引脚和功能与其他标准逻辑系列兼容
- 芯片复杂性：FETs=≤100
- 提供无铅包装
（图片：引出线）
NLVVHC1GT126DT1G
- 描述:逻辑类型: 缓冲区，非反相 电源电压: 3V～5.5V 每个元件的位数: one 供应商设备包装: 5-TSOP 工作温度: -55摄氏度~125摄氏度（TA） 安装类别: 表面安装
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 3000
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 1.24215 | 1.24215 |
- 库存: 2990
- 单价: ¥1.24216
-
数量:
- +
- 总计: ¥3,726.47
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规格参数
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 部件状态 可供货
- 逻辑类型 缓冲区，非反相
- 输出类别 三态
- 输入类别 -
- 安装类别 表面安装
- 元件数量 one
- 每个元件的位数 one
- 输出高电流, 输出低电流 8毫安, 8毫安
- 工作温度 -55摄氏度~125摄氏度（TA）
- 包装/外壳 SOT-23-5薄型，TSOT-23-5
- 供应商设备包装 5-TSOP
- 电源电压 3V～5.5V
NLVVHC1GT126DT1G 产品详情
NLVVHC1GT126DT1G是采用硅栅CMOS技术制造的单栅非反相三态缓冲器。它实现了类似于等效双极肖特基TTL的高速操作，同时保持CMOS低功耗。NLVVHC1GT126DT1G要求将三态控制输入（OE（bar））设置为低，以将输出置于高阻抗状态。设备输入与TTL型输入阈值兼容，输出具有全5V CMOS电平输出摆动。该设备上的输入保护电路允许输入上的过电压容差，允许该设备在高压电源下工作时用作3.0V CMOS逻辑到5.0V CMOS逻辑或1.8V CMOS逻辑的逻辑电平转换器。NLVVHC1GT126DT1G输入结构在施加高达5.5V的电压时提供保护，无论电源电压如何。这允许NLVVHC1GT126DT1G用于将5V电路连接到3V电路。当VCC＝0V时，输出结构也提供保护。这些输入和输出结构有助于防止电源电压-输入/输出电压不匹配、电池备份、热插拔等导致的设备损坏。
NLVVHC1GT126DT1G 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | NLVHC1GT66MUR2G | 安盛美 (onsemi) | ANALOG SWITCH | ¥0.72429 |
 | NLV32T-1R0J-PF | 东京电气化学 (TDK) | 电感值: 1.H 公差: ±5% 额定电流（单位：安培）: 400毫安 直流电阻（DCR）: 700毫欧姆 Max 安装类别: 表面安装 工作温度: -40摄氏度~105摄氏度 | ¥0.20642 |
 | NLV25T-027J-PF | 东京电气化学 (TDK) | 电感值: 27 nH 公差: ±5% 额定电流（单位：安培）: 410毫安 直流电阻（DCR）: 最大400毫欧姆 安装类别: 表面安装 工作温度: -40摄氏度~105摄氏度 | ¥0.34838 |
 | NLV32T-018J-EFD | 东京电气化学 (TDK) | 电感值: 18 nH 公差: ±5% 额定电流（单位：安培）: 450毫安 直流电阻（DCR）: 最大180毫欧姆 安装类别: 表面安装 工作温度: -40摄氏度~105摄氏度 | ¥2.31773 |
 | NLV25T-560J-EFD | 东京电气化学 (TDK) | 电感值: 56 H 公差: ±5% 额定电流（单位：安培）: 75 mA 直流电阻（DCR）: 12.1欧姆最大值 安装类别: 表面安装 工作温度: -40摄氏度~105摄氏度 | ¥0.85466 |
 | NLV25T-180J-PF | 东京电气化学 (TDK) | 电感值: 18H 公差: ±5% 额定电流（单位：安培）: 130毫安 直流电阻（DCR）: 最大4.8欧姆 安装类别: 表面安装 工作温度: -40摄氏度~105摄氏度 | ¥0.26002 |
 | NLV32T-6R8J-EFD | 东京电气化学 (TDK) | 电感值: 6.8 H 公差: ±5% 额定电流（单位：安培）: 180毫安 直流电阻（DCR）: 最大1.8欧姆 安装类别: 表面安装 工作温度: -40摄氏度~105摄氏度 | ¥2.31773 |
 | NLVHC4851ADTR2G | 安盛美 (onsemi) | 电线数量: one 多路复用器/解复用器电路: 8:1 最大值通态电阻: 400欧姆 供应商设备包装: 16-TSSOP 工作温度: -55摄氏度~125摄氏度（TA） 安装类别: 表面安装 | ¥6.30567 |
 | NLVHC1G66MUR2G | 安盛美 (onsemi) | 电线数量: one 多路复用器/解复用器电路: 1:1 最大值通态电阻: 40欧姆 供应商设备包装: 6-UDFN (1.2x1) 工作温度: -55摄氏度~125摄氏度（TA） 安装类别: 表面安装 | ¥0.43457 |
 | NLV74VHCT541ADTRG | 安盛美 (onsemi) | 逻辑类型: 缓冲区，非反相 电源电压: 4.5伏~5.5伏 每个元件的位数: 8 供应商设备包装: 20-TSSOP 工作温度: -40摄氏度~85摄氏度（TA） 安装类别: 表面安装 | ¥2.55501 |
NLVVHC1GT126DT1G所属分类：逻辑接收/发送/驱动/缓冲器，NLVVHC1GT126DT1G 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。NLVVHC1GT126DT1G价格参考￥1.242157，你可以下载 NLVVHC1GT126DT1G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询NLVVHC1GT126DT1G规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
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