特色
- 高速：VCC=5V时，tPD=3.1ns（Typ）
- 低功耗：TA=25°C时ICC=2m A（最大值）
- TTL兼容输入：VIL=0.8V；振动=2.0伏
- CMOS兼容输出：VOH>0.8VCC；VOL<0.1VCC@负载
- 输入和输出上提供的断电保护
- 平衡传播延迟
- 引脚和功能与其他标准逻辑系列兼容
- 提供无铅包装
（图片：引出线）
NLVVHC1G50DFT2G
- 描述:逻辑类型: 缓冲区，非反相 电源电压: 2伏~5.5伏 每个元件的位数: one 供应商设备包装: SC-88A（SC-70-5/SOT-353） 工作温度: -55摄氏度~125摄氏度（TA） 安装类别: 表面安装
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 2854
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 3000+ | 0.95193 | 2855.80200 |
- 库存: 0
- 单价: ¥0.79672
-
数量:
- +
- 总计: ¥2,273.84
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规格参数
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 部件状态 可供货
- 逻辑类型 缓冲区，非反相
- 输入类别 -
- 安装类别 表面安装
- 元件数量 one
- 每个元件的位数 one
- 输出高电流, 输出低电流 8毫安, 8毫安
- 电源电压 2伏~5.5伏
- 工作温度 -55摄氏度~125摄氏度（TA）
- 包装/外壳 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
- 供应商设备包装 SC-88A（SC-70-5/SOT-353）
- 输出类别 互补型金属氧化物半导体
NLVVHC1G50DFT2G 产品详情
NLVVHC1GT00DFT2G是一种采用硅栅CMOS技术制造的单栅2输入NAND。内部电路由多个级组成，包括一个缓冲输出，提供高抗噪性和稳定输出。器件输入与TTL型输入阈值兼容，输出具有完整的5V CMOS电平输出摆幅。该设备上的输入保护电路允许输入上的过电压容差，允许该设备在高压电源下工作时用作从3.0 VCMOS逻辑到5.0 V CMOS逻辑或从1.8 V CMOS逻辑到3.0 V CMOS逻辑的逻辑电平转换器。NLVVHC1GT00DFT2G输入结构在施加高达5.5 V的电压时提供保护，无论电源电压如何。这允许NLVVHC1GT00DFT2G用于连接5 V电路和3 V电路。当VCC=0 V时，输出结构也提供保护。这些输入和输出结构有助于防止电源电压-输入/输出电压不匹配、电池备份、热插拔等导致的设备损坏。
NLVVHC1G50DFT2G 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | NLVHC1GT66MUR2G | 安盛美 (onsemi) | ANALOG SWITCH | ¥0.72429 |
 | NLV32T-1R0J-PF | 东京电气化学 (TDK) | 电感值: 1.H 公差: ±5% 额定电流（单位：安培）: 400毫安 直流电阻（DCR）: 700毫欧姆 Max 安装类别: 表面安装 工作温度: -40摄氏度~105摄氏度 | ¥0.20642 |
 | NLV25T-027J-PF | 东京电气化学 (TDK) | 电感值: 27 nH 公差: ±5% 额定电流（单位：安培）: 410毫安 直流电阻（DCR）: 最大400毫欧姆 安装类别: 表面安装 工作温度: -40摄氏度~105摄氏度 | ¥0.34838 |
 | NLV32T-018J-EFD | 东京电气化学 (TDK) | 电感值: 18 nH 公差: ±5% 额定电流（单位：安培）: 450毫安 直流电阻（DCR）: 最大180毫欧姆 安装类别: 表面安装 工作温度: -40摄氏度~105摄氏度 | ¥2.31773 |
 | NLV25T-560J-EFD | 东京电气化学 (TDK) | 电感值: 56 H 公差: ±5% 额定电流（单位：安培）: 75 mA 直流电阻（DCR）: 12.1欧姆最大值 安装类别: 表面安装 工作温度: -40摄氏度~105摄氏度 | ¥0.85466 |
 | NLV25T-180J-PF | 东京电气化学 (TDK) | 电感值: 18H 公差: ±5% 额定电流（单位：安培）: 130毫安 直流电阻（DCR）: 最大4.8欧姆 安装类别: 表面安装 工作温度: -40摄氏度~105摄氏度 | ¥0.26002 |
 | NLV32T-6R8J-EFD | 东京电气化学 (TDK) | 电感值: 6.8 H 公差: ±5% 额定电流（单位：安培）: 180毫安 直流电阻（DCR）: 最大1.8欧姆 安装类别: 表面安装 工作温度: -40摄氏度~105摄氏度 | ¥2.31773 |
 | NLVHC4851ADTR2G | 安盛美 (onsemi) | 电线数量: one 多路复用器/解复用器电路: 8:1 最大值通态电阻: 400欧姆 供应商设备包装: 16-TSSOP 工作温度: -55摄氏度~125摄氏度（TA） 安装类别: 表面安装 | ¥6.30567 |
 | NLVHC1G66MUR2G | 安盛美 (onsemi) | 电线数量: one 多路复用器/解复用器电路: 1:1 最大值通态电阻: 40欧姆 供应商设备包装: 6-UDFN (1.2x1) 工作温度: -55摄氏度~125摄氏度（TA） 安装类别: 表面安装 | ¥0.43457 |
 | NLV74VHCT541ADTRG | 安盛美 (onsemi) | 逻辑类型: 缓冲区，非反相 电源电压: 4.5伏~5.5伏 每个元件的位数: 8 供应商设备包装: 20-TSSOP 工作温度: -40摄氏度~85摄氏度（TA） 安装类别: 表面安装 | ¥2.55501 |
NLVVHC1G50DFT2G所属分类：逻辑接收/发送/驱动/缓冲器，NLVVHC1G50DFT2G 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。NLVVHC1G50DFT2G价格参考￥0.796719，你可以下载 NLVVHC1G50DFT2G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询NLVVHC1G50DFT2G规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
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