ABT373的八个锁存器是透明D型锁存器。当锁存使能（LE）输入为高时，Q输出跟随数据（D）输入。当LE为低电平时，Q输出被锁存在D输入处设置的逻辑电平。
缓冲输出使能（OE\）输入可用于将八个输出置于正常逻辑状态（高或低逻辑电平）或高阻抗状态。在高阻抗状态下，输出既不负载也不显著驱动总线。高阻抗状态和增加的驱动提供了在不需要接口或上拉部件的情况下驱动总线的能力。
OE\不会影响锁存器的内部操作。当输出处于高阻抗状态时，可以保留旧数据或输入新数据。
为确保通电或断电期间的高阻抗状态，OE\应通过上拉电阻器连接到VCC；电阻器的最小值由驱动器的电流吸收能力确定。
SN54ABT373的特点是在-55°C至125°C的全军事温度范围内工作。SN74ABT373PWLE的工作温度为-40°C至85°C。
特色
- 先进的EPIC II BTM BiCMOS设计显著降低功耗
- 根据JEDEC标准JESD-17，锁存性能超过500 mA
- VCC=5 V，TA=25°C时，典型VOLP（输出接地弹跳）<1 V
- 高驱动输出（-32 mA IOH，64 mA IOL）
- 封装选项包括塑料小轮廓（DW）、收缩小轮廓（DB）和薄收缩小轮廓封装、陶瓷芯片载体（FK）、陶瓷扁平（W）封装以及塑料（N）和陶瓷（J）DIP
