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NB3N200SDG是IC CLK BUFFER 1:1 200MHZ 8SOIC,包括NB3N2200S系列,它们设计用于缓冲/驱动器类型,包装如数据表注释所示,用于管替代包装,提供单位重量功能,如0.019048盎司,安装样式设计用于SMD/SMT,以及8-SOIC(0.154“,3.90mm宽)包装箱,其工作温度范围为-40°C~85°C。此外,安装类型为表面安装,该设备提供3 V~3.6 V电压供应,该设备具有供应商设备包的8-SOIC,输入为LVCMOS、LVDS,输出为LVCMOS和LVDS,电路数量为1,输入:输出比为1899/12/30 1:01:00,差分输入:输出为是/是,最大频率为200MHz,其最大工作温度范围为+85℃,最小工作温度范围-40℃,工作电源电流为22 mA,电源电压最大值为3.6 V,电源电压最小值为3 V,传播延迟最大值为2.4 ns。
带用户指南的NB3N1900KMNTXG,包括3.135 V ~ 3.465 V电源,设计用于72-QFN(10x10)供应商设备包,数据表注释中显示了用于1899/12/30 1:19:00的比率输入:输出,提供了PLL功能,如“是”和“旁路”,包装设计用于磁带和卷轴(TR)交替包装,除了72-VFQFN暴露焊盘封装外壳外,该设备还可以用作HCSL输出,其工作温度范围为-10°C~70°C,该设备有1个电路,该设备具有安装型表面安装,输入为时钟,最大频率为133.33MHz,分频器乘数为否/否,差分输入:输出为是/是。
带电路图的NB3N1900KMNTWG,包括是/是差分输入:输出,它们设计为与无/无分频器乘法器一起工作,最大频率如数据表注释所示,用于133.33MHz,提供时钟等输入功能,安装类型设计用于表面安装,以及1个电路,其工作温度范围为-10°C~70°C。此外,输出为HCSL,该设备采用72-VFQFN裸露衬垫封装盒,该设备具有封装的磁带和卷轴(TR),PLL为“是”(带旁路),输入输出比为1899/12/30 1:19:00,供应商设备封装为72-VQFN(10x10),电压供应为3.135 V~3.465 V。