特征
激光修整至高精度
5.000 V±2.0 mV（M级）
修整温度系数最大值为2 ppm/°C，0°C至70°C（M级）最大值为5 ppm/°C，−40°C至+85°C（B级和L级）最高值为10 ppm/°F，−55°C至+125°F（T级）
低噪声，100 nV/√Hz
降噪能力
输出微调能力
提供符合MIL-STD-883的版本
工业温度范围SOIC可用
能够产生或吸收10 mA的输出
一般说明
AD586LRZ代表了最先进的单片电压基准的重大进步。AD586LRZ使用专有的离子注入埋置齐纳二极管和高稳定性薄膜电阻器的激光晶片修整，以低成本提供卓越的性能。
AD586LRZ提供了比大多数其他5V参考更高的性能。由于AD586LRZ使用行业标准引脚，许多系统都可以使用AD586立即升级。
与带隙电压基准相比，埋入式齐纳基准设计方法提供了更低的噪声和漂移。AD586提供了一个降噪引脚，可用于进一步降低埋置齐纳产生的噪声水平。
AD586LRZ建议用作需要外部精度参考的8位、10位、12位、14位或16位DAC的参考。该设备也是连续逼近或集成ADC的理想选择，精度高达14位，通常可以提供比标准片上参考更好的性能。
AD586J、AD586K、AD586L和AD586M规定在0°C至70°C的温度范围内运行；AD586A和AD586B规定用于-40°C至+85°C的操作；AD586S和AD586T规定用于−55°C至+125°C的操作。
AD586J、AD586K、AD586L和AD586M采用8引脚PDIP；AD586J、AD586K、AD586L、AD586A和AD586B采用8引脚SOIC封装；AD586J、AD586K、AD586L、AD586S和AD586T采用8引脚CERDIP封装。
特色
- 激光微调至高精度5.00 V±2.0 mV（M级）
- 修整温度系数最大2 ppm/°C，0°C至70°C（M级）最大5 ppm/°C，-40°C至+85°C（B级和L级）最大10 ppm/°F，-55°C至+125°C
- 低噪声，100 nV/√Hz
- 降噪能力
- 输出微调能力
- MIL-STD-883兼容版本可用
- 工业温度范围SOIC可用
- 输出能够产生或下沉10 mA
（图片：引出线）
