ADR42x是一系列超精密、第二代eXtra注入结FET（XFET）电压基准，具有低噪声、高精度和SOIC和MSOP封装中优异的长期稳定性。
专利的温度漂移曲率校正技术和XFET技术使电压随温度变化的非线性最小化。XFET架构提供了优于带隙基准的精度和热滞后。与埋置齐纳基准相比，它还以较低的功率和较低的电源余量运行。
ADR42x的卓越噪声和稳定准确的特性使其成为光学网络和医疗设备等精密转换应用的理想选择。ADR42x微调端子也可用于在±0.5%范围内调整输出电压，而不影响任何其他性能。ADR42x系列电压参考提供两种电气等级，并在−40°C至+125°C的扩展工业温度范围内指定。器件具有8引线SOIC或小30%的8引线MSOP封装。
特色
- 低噪声（0.1 Hz至10 Hz）
- ADR420:1.75μV p-p ADR421:1.75μV p-p ADR423:2.0μV p-pADR425:3.4μV p-p
- 低温系数：3 ppm/°C
- 长期稳定性：50 ppm/1000小时
- 负载调节：70 ppm/mA
- 线路调节：35 ppm/V
- 低滞后：典型值为40 ppm
- 宽工作范围ADR420：4 V至18 V ADR421：4.5 V至18 V ADR423：5 V至18伏ADR425：7 V至18伏特
- 静态电流：最大0.5 mA
- 高输出电流：10 mA
- 宽温度范围：−40°C至+125°C
应用
- 精密数据采集系统
- 高分辨率转换器
- 电池供电仪表
- 便携式医疗器械
- 工业过程控制系统
- 精密仪器
- 光网络控制电路
（图片：引出线）
