AD581TH/883B中使用的带隙电路设计与经典齐纳击穿二极管技术相比具有若干优点。最重要的是，不需要外部组件来实现低功率系统的完全精度和显著稳定性。此外，设备（包括输出缓冲放大器）的总电源电流通常为750μA。带隙设计的长期稳定性相当于选定的齐纳参考二极管。
AD581TH/883B建议用作需要外部精度参考的8位、10位或12位数模转换器（DAC）的参考。该设备也是所有类型的模数转换器（ADC）的理想选择，精度高达14位，无论是逐次逼近还是积分设计，通常可以提供比标准独立参考提供的性能更好的性能。
AD581J、K和L规定在0°C至+70°C范围内运行；AD581S、T和U的温度范围为-55°C至+125°C。所有等级都封装在密封的三端子TO-5金属罐中。
特色
- 激光微调至高精度10.000 V±5 mV（L和U型号）
- 微调温度系数最大5 ppm/°C，0°C至70°C（L型）最大10 ppm/°C，−55°C至+125°C（U型）
- 优异的长期稳定性25 ppm/1000小时（非累积）
- −10 V参考能力
- 低静态电流：最大1.0 mA
- 10 mA电流输出能力
- 3针TO-5封装
- 提供符合MIL-STD-883的版本
（图片：引出线）
