这些16位缓冲器/驱动器专门设计用于低电压（3.3V）VCC操作，但具有向5V系统环境提供TTL接口的能力。
这些设备可以用作四个4位缓冲器、两个8位缓冲器或一个16位缓冲器。这些设备提供非反相输出和互补输出使能（OE和OE）输入。
输出端的源极或漏极设计为12毫安，包括等效的22串联电阻，以减少过冲和下冲。
当VCC介于0和1.5 V之间时，设备在通电或断电期间处于高阻抗状态。然而，为了确保高于1.5V的高阻抗状态，OE应通过上拉电阻器连接到VCC，OE应使用下拉电阻器连接到GND；电阻器的最小值由驱动器的电流吸收/电流源能力确定。
提供有源总线保持电路以将未使用或浮动数据输入保持在有效逻辑电平。
这些设备完全指定用于使用Ioff和通电3状态的热插拔应用。Ioff电路禁用输出，防止设备断电时损坏电流回流。加电三态电路在加电和断电期间将输出置于高阻抗状态，从而防止驱动器冲突。
SN54LVTH162241的特点是在-55°C至125°C的全军事温度范围内运行。SN74LVTH162241DL的工作温度为-40°C至85°C。
特色
- 德州仪器Widebus家族成员
- 用于3.3V操作和低静态功耗的先进BiCMOS技术（ABT）设计
- 输出端口具有等效的22系列电阻器，因此不需要外部电阻器
- 支持混合模式信号操作（5V输入和输出电压，3.3V VCC）
- 支持低至2.7 V的无调节电池操作
- VCC=3.3 V，TA=25°C时，典型VOLP（输出接地弹跳）<0.8 V
- 关闭和通电3状态支持热插拔
- 总线保持数据输入无需外部上拉/下拉电阻器
- 分布式VCC和GND引脚配置最小化高速开关噪声
- 流程式架构优化PCB布局
- 根据JESD 17，锁存性能超过500 mA
- 根据MIL-STD-883方法3015，ESD保护超过2000 V；使用机器型号时超过200 V（C=200 pF，R=0）
- 包装选项包括塑料收缩小轮廓（DL）和薄收缩小轮廓包装（DGG）以及使用25密耳中心间距的380密耳细间距陶瓷扁平（WD）包装
