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SN74V293-6PZA

  • 描述:电源电压: 3.15 V ~ 3.45 V 存储容量: 1.125M (64K x 18)(128K x 9) 数据速度率: 166MHz 供应商设备包装: 80-LQFP (14x14) 工作温度: 0摄氏度~70摄氏度 安装类别: 表面安装
  • 品牌: 德州仪器 (Texas)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 216.29494 216.29494
200+ 83.70775 16741.55060
500+ 80.76510 40382.55350
1000+ 79.31480 79314.80300
  • 库存: 2076
  • 单价: ¥216.29495
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥216.29
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 制造厂商 德州仪器 (Texas)
  • 存储容量 1.125M (64K x 18)(128K x 9)
  • 功能 同步的
  • 数据速度率 166MHz
  • 访达时期 4.5纳秒
  • 电源电压 3.15 V ~ 3.45 V
  • 最大供电电流 35毫安
  • 总线朝向 单向的
  • 扩展类型 深度、宽度
  • 支持可编程标志 Yes
  • 重传能力 Yes
  • FWFT的支持 Yes
  • 工作温度 0摄氏度~70摄氏度
  • 安装类别 表面安装
  • 包装/外壳 80-LQFP
  • 供应商设备包装 80-LQFP (14x14)

SN74V293-6PZA 产品详情

SN74V263、SN74V273、SN74V283和SN74V293-6PZA是非常深、高速的CMOS先进先出(FIFO)存储器,具有定时读写控制和与×9/×18数据流匹配的灵活总线。

在读和写端口上都有灵活的×9/×18总线匹配。

重传操作所需的周期是固定且短的。

从第一个字被写入空FIFO到它可以被读取的时间,第一个字数据等待时间是固定且短的。

这些FIFO特别适用于网络、视频、电信、数据通信和其他需要缓冲大量数据并匹配大小不等的总线的应用。

每个FIFO具有一个数据输入端口(Dn)和一个数据输出端口(Qn),这两个端口都可以采用18位或9位宽度,这取决于主复位周期期间外部控制引脚的输入宽度(IW)和输出宽度(OW)的状态。

输入端口由写入时钟(WCLK)和写入启用(WEN)\输入控制。当WEN\被断言时,数据在WCLK的每个上升沿写入FIFO。输出端口由读时钟(RCLK)和读使能(REN)\输入控制。当REN\被断言时,在RCLK的每个上升沿从FIFO读取数据。输出启用(OE)\输入用于输出的三态控制。

RCLK和WCLK信号的频率可以从0到fMAX变化,完全独立。对于一个时钟输入相对于另一个的频率没有限制。

这些设备有两种可能的操作定时模式:首字通过(FWFT)模式和标准模式。

在FWFT模式中,写入空FIFO的第一个字在RCLK信号的三次转换后直接计时到数据输出线。访问第一个单词时不需要断言REN\。然而,写入FIFO的后续字需要低REN\才能访问。主复位期间FWFT/SI输入的状态决定了使用的定时模式。

在标准模式下,写入空FIFO的第一个字不会出现在数据输出线上,除非执行了特定的读取操作。一种读操作,包括激活REN\并启用上升的RCLK边沿,将字从内部存储器转移到数据输出线。

对于需要比单个FIFO所能提供的更多数据存储容量的应用,FWFT定时模式允许通过串联FIFO进行深度扩展(即,一个FIFO的数据输出连接到下一个FIFO对应的数据输入)。不需要外部逻辑。

这些FIFO有五个标志引脚:空标志或输出就绪(EF\/or\)、满标志或输入就绪(FF\/IR\),半满标志(HF)\、可编程几乎空标志(PAE)\和可编程几乎满标志(PAF)\。在FWFT模式下选择IR\和OR\功能。EF\和FF\功能在标准模式下选择。无论定时模式如何,HF\、PAE\和PAF\始终可用。

PAE\和PAF\可以独立编程,以便在内存中的任何点进行切换。可编程偏移量确定标志切换阈值,可通过并行或串行方法加载。还提供了八个默认偏移设置,以便可以将PAE\设置为从空边界切换到预定义数量的位置。PAF\阈值也可以从整个边界设置为类似的预定义值。默认偏移值在主复位期间由FSEL0、FSEL1和LD\的状态设置。

对于串行编程,SEN\与LD\一起通过WCLK每个上升沿上的串行输入(SI)加载偏移寄存器。对于并行编程,WEN\与LD\一起通过WCLK的每个上升沿上的Dn加载偏移寄存器。REN\和LD\可以在RCLK的每个上升沿上从Qn并行读取偏移量,而不管选择了串行还是并行偏移量加载。

此外,还可以选择PAE\和PAF\输出的定时模式。PAE\和PAF\的定时模式可以设置为异步或同步。

如果选择了异步PAE\/PAF\配置,则在RCLK从低到高转换时,PAE\被断言为低。在WCLK从低到高转换时,PAE\重置为高。类似地,在WCLK从低到高的转变中,PAF被断言为低,而在RCLK从高到低的转变中PAF被重置为高。

如果选择了同步PAE\/PAF\配置,则仅在RCLK而不是WCLK的上升沿断言和更新PAE\。类似地,PAF仅在WCLK的上升沿而不是RCLK上被断言和更新。在主复位期间,通过可编程标志模式(PFM)引脚的状态来配置期望的模式。

重传功能允许从FIFO中多次重新读取数据。在上升的RCLK边缘期间,RT\输入上的低电平通过将读指针设置到存储器阵列的第一个位置来启动重传操作。可以使用重传定时模式(RM)选择零延迟重传定时方式。在主重置期间,低RM选择零延迟重传。主重置期间RM上的高值选择正常延迟。

如果选择了零延迟重传操作,如果RT\较低,则将要重传的第一个数据字放置在输出寄存器上,与发起重传的相同RCLK边缘相关。

在主复位(MRS)期间,所有操作模式的功能都已编程。这些包括FWFT或标准定时、输入总线宽度、输出总线宽度、大端序或小端序、重传模式、可编程标志操作和编程方法、可编程标记默认偏移以及穿插奇偶校验选择。读和写指针被设置到FIFO的第一个位置。然后,根据所选定时模式,EF\设置为低或or\设置为高,FF设置为高或IR设置为低。此外,PAE\设置为低,PAF\设置为高,HF设置为高。Q输出设置为低。

部分重置(PRS)\还将读取和写入指针设置为内存的第一个位置。然而,在断言部分复位之前存在的定时模式、可编程标志编程方法、默认或编程偏移设置、输入和输出总线宽度、大端/小端、分散奇偶校验选择和重传模式保持不变。标志根据定时模式和有效的偏移进行更新。当不需要重新编程可编程标志和其他功能时,PRS可用于在运行中重置设备。

提供了大端/小端数据字格式。当数据以长字(×18)格式写入FIFO并以小字(×9)格式从FIFO中读出时,此功能非常有用。如果选择了大端模式,则首先从FIFO中读出写入FIFO的长字的最高有效字节(MSB)(字),然后是最低有效字节(LSB)。如果选择了小端格式,则首先读取写入FIFO的长字的LSB,然后读取MSB。所需模式在主复位期间由大端序/小端序(BE)\引脚的状态配置。

当编程标志偏移时,穿插/非穿插奇偶校验(IP)位功能允许用户选择加载到并行端口(D0–Dn)的字中的奇偶校验位。如果选择了分散奇偶校验模式,则FIFO假设在标志偏移的并行编程期间奇偶校验位位于位位置D8。如果选择了非交错奇偶校验模式,则假设D8为有效位,忽略D16和D17。IP模式在主复位期间由IP输入引脚的状态选择。仅当输入宽度设置为×18模式时,此模式才相关。

SN74V263、SN74V273、SN74V283和SN74V293-6PZA采用TI的高速亚微米CMOS技术制造。

有关此设备系列的详细信息,请参阅以下应用程序报告:

  • 通过DSP的外部存储器接口(EMIF)将TI高速外部FIFO与TI DSP连接(文献编号SPRA534)
  • 通过DSP扩展总线(XBus)将TI高速外部FIFO与TI DSP连接(文献编号SPRA547)

特色

  • 记忆组织的选择
    • SN74V263-8192×18/16384×9
    • SN74V273-16384×18/32768×9
    • SN74V283-32768×18/65536×9
    • SN74V293-65536×18/131072×9
  • 166 MHz操作
  • 6-ns读/写周期时间
  • 用户可选择的输入和输出端口总线大小
    • ×9英寸到×9英寸
    • ×9英寸至×18英寸
    • ×18英寸至×9英寸
    • ×18英寸到×18英寸
  • 大端/小端用户可选择字节表示
  • 5V耐受输入
  • 固定,低首字延迟
  • 零延迟重新传输
  • 主重置清除整个FIFO
  • 部分重置清除数据,但保留可编程设置
  • 空、满和半满标志信号FIFO状态
  • 可编程几乎空和几乎满标志;每个标志可以默认为八个预先选择的偏移中的一个
  • 几乎为空和几乎为满标志的可选同步/异步定时模式
  • 通过串行或并行方式编程可编程标志
  • 选择标准定时(使用EF\和FF\标志)或第一个字通过(FWFT)定时(使用or\和IR\标志)
  • 输出使能将数据输出置于高阻抗状态
  • 深度和宽度易于扩展
  • 独立读写时钟允许同时读写
  • 高性能亚微米CMOS技术
  • 带C6x DSP的无胶接口
  • 可提供80针薄四边形扁平封装(TQFP)和100针球栅阵列(BGA)封装
SN74V293-6PZA所属分类:先进先出(FIFO)存储芯片,SN74V293-6PZA 由 德州仪器 (Texas) 设计生产,可通过久芯网进行购买。SN74V293-6PZA价格参考¥216.294947,你可以下载 SN74V293-6PZA中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询SN74V293-6PZA规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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