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SN74LVC1G34YEPR

  • 描述:逻辑类型: 缓冲区,非反相 电源电压: 1.65伏~5.5伏 每个元件的位数: one 供应商设备包装: 5-DSBGA (1.4x0.9) 工作温度: -40摄氏度~85摄氏度(TA) 安装类别: 表面安装
  • 品牌: 德州仪器 (Texas)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1603

  • 库存: 3000
  • 单价: ¥1.37615
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥2,205.97
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规格参数

  • 逻辑类型 缓冲区,非反相
  • 制造厂商 德州仪器 (Texas)
  • 输入类别 -
  • 输出高电流, 输出低电流 32毫安, 32毫安
  • 电源电压 1.65伏~5.5伏
  • 工作温度 -40摄氏度~85摄氏度(TA)
  • 安装类别 表面安装
  • 元件数量 one
  • 部件状态 过时的
  • 每个元件的位数 one
  • 输出类别 推拉
  • 包装/外壳 5-XFBGA, DSBGA
  • 供应商设备包装 5-DSBGA (1.4x0.9)

SN74LVC1G34YEPR 产品详情

This single buffer gate is designed for 1.65-V to 5.5-V VCC operation.

The SN74LVC1G34YEPR device performs the Boolean function Y = A in positive logic.

The CMOS device has high output drive while maintaining low static power dissipation over a broad VCC Operating range.

The SN74LVC1G34YEPR is available in a variety of packages, including the ultra-small DPW package with a body size of 0.8 mm × 0.8 mm.

Feature

  • Available in the Ultra Small 0.64-mm2
    Package (DPW) with 0.5-mm Pitch
  • Supports 5-V VCC Operation
  • Inputs Accept Voltages to 5.5 V
  • Provides Down Translation to VCC
  • Max tpd of 3.5 ns at 3.3 V
  • Low Power Consumption, 1-μA Max ICC
  • ±24-mA Output Drive at 3.3 V
  • Ioff Supports Live Insertion, Partial Power Down
    Mode, and Back Drive Protection
  • Latch-Up Performance Exceeds 100 mA
    Per JESD 78, Class II
  • ESD Protection Exceeds JESD 22
    • 2000-V Human-Body Model (A114-A)
    • 200-V Machine Model (A115-A)
    • 1000-V Charged-Device Model (C101)


SN74LVC1G34YEPR所属分类:逻辑接收/发送/驱动/缓冲器,SN74LVC1G34YEPR 由 德州仪器 (Texas) 设计生产,可通过久芯网进行购买。SN74LVC1G34YEPR价格参考¥1.376151,你可以下载 SN74LVC1G34YEPR中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询SN74LVC1G34YEPR规格参数、现货库存、封装信息等信息!

德州仪器 (Texas)

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