72V851L10TFG是一个双FIFO存储器，它以先进先出的方式加载和清空数据。它利用9位宽的数据阵列，允许用户选择控制位和奇偶校验位。这在传输/接收错误检查需要奇偶校验位的数据通信应用中是有用的。它是为那些在多处理和速率缓冲应用程序中需要异步和同时读/写的应用程序而设计的。
特色
- 相当于两个72V05 8K x 9 FIFO
- 异步和同时读写
- 状态标志：空、半满、满
- 自动重传功能
- 提供56针TSSOP
- 提供工业温度范围（-40℃至+85℃）
72V851L10TFG
- 描述:电源电压: 3 V ~ 3.6 V 存储容量: 144K (8K x 9 x 2) 数据速度率: 100MHz 供应商设备包装: 64-TQFP (10x10) 工作温度: 0摄氏度~70摄氏度 安装类别: 表面安装
- 品牌: 瑞萨电子 (Renesas)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
- 库存: 0
- 单价: ¥136.26828
-
数量:
- +
- 总计: ¥136.27
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规格参数
- 功能 同步的
- 扩展类型 深度、宽度
- 支持可编程标志 Yes
- 工作温度 0摄氏度~70摄氏度
- 安装类别 表面安装
- 制造厂商 瑞萨电子 (Renesas)
- FWFT的支持 无
- 最大供电电流 40毫安
- 部件状态 过时的
- 电源电压 3 V ~ 3.6 V
- 重传能力 无
- 总线朝向 双向
- 数据速度率 100MHz
- 包装/外壳 64-LQFP
- 访达时期 6.5ns
- 供应商设备包装 64-TQFP (10x10)
- 存储容量 144K (8K x 9 x 2)
72V851L10TFG 产品详情
72V851L10TFG 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | 72V2113L15PFG | 瑞萨电子 (Renesas) | 72V2113L15PFG | ¥1,352.177 |
| 72V36110L6BBY8 | 72V36110 3.3V 128K X 36 SUPERSYN | ¥0.00 | |
| 72V36110L6BBY | 72V36110 3.3V 128K X 36 SUPERSYN | ¥0.00 | |
| 72V201L10PFGI8 | IC SRAM | ¥0.00 | |
| 72V06L15JI | IC SRAM | ¥0.00 | |
| 72V811L20PFGI | IC SRAM | ¥0.00 | |
| 72V251L10PFGI8 | IC SRAM | ¥0.00 | |
| 72V211L15PFG | IC SRAM | ¥0.00 | |
| 72V201L15PFG | IC SRAM | ¥0.00 | |
| 72V251L10PFGI | IC SRAM | ¥0.00 |
72V851L10TFG所属分类：先进先出（FIFO）存储芯片，72V851L10TFG 由 瑞萨电子 (Renesas) 设计生产，可通过久芯网进行购买。72V851L10TFG价格参考￥136.268283，你可以下载 72V851L10TFG中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询72V851L10TFG规格参数、现货库存、封装信息等信息！
瑞萨电子 (Renesas)
Renesas Electronics Corporation通过完整的半导体解决方案提供值得信赖的嵌入式设计创新，使数十亿连接的智能设备能够改善人们的工作和生活方式&mdash；安全可靠。作为微控制器...
