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CD40105BE

  • 描述:电源电压: 3 V ~ 18 V 存储容量: 64 (16 x 4) 供应商设备包装: 16-PDIP 工作温度: -55摄氏度~125摄氏度 安装类别: 通孔
  • 品牌: 德州仪器 (Texas)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 600

数量 单价 合计
600+ 5.60144 3360.86520
  • 库存: 8625
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  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥3,360.87
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 数据速度率 -
  • 访达时期 -
  • 最大供电电流 -
  • 制造厂商 德州仪器 (Texas)
  • 总线朝向 单向的
  • 扩展类型 深度、宽度
  • 功能 异步
  • 支持可编程标志
  • FWFT的支持
  • 安装类别 通孔
  • 重传能力
  • 存储容量 64 (16 x 4)
  • 电源电压 3 V ~ 18 V
  • 工作温度 -55摄氏度~125摄氏度
  • 包装/外壳 16-DIP(0.300英寸,7.62毫米)
  • 供应商设备包装 16-PDIP

CD40105BE 产品详情

The CD4010C hex buffers are monolithic complementary MOS (CMOS) integrated circuits. The N- and P-channel enhancement mode transistors provide a symmetrical circuit with output swings essentially equal to the supply voltage. This results in high noise immunity over a wide supply voltage range. No DC power other than that caused by leakage current is consumed during static conditions. All inputs are protected against static discharge. These gates may be used as hex buffers, CMOS to DTL or TTL interface or as CMOS current drivers. Conversion ranges are from 3V to 15V providing VCC ≤ VDD. The devices also have buffered outputs which improve transfer characteristics by providing very high gain.

Applications
• Automotive
• Data terminals
• Instrumentation
• Medical electronics
• Alarm system
• Industrial controls
• Remote metering
• Computers

 

Feature


■ Wide supply voltage range: 3.0V to 15V
■ Low power: 100 nW (typ.)
■ High noise immunity: 0.45 VDD (typ.)
■ High current sinking: 8 mA (min.) at VO = 0.5V capability: and VDD = 10V

CD40105BE所属分类:先进先出(FIFO)存储芯片,CD40105BE 由 德州仪器 (Texas) 设计生产,可通过久芯网进行购买。CD40105BE价格参考¥5.601442,你可以下载 CD40105BE中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询CD40105BE规格参数、现货库存、封装信息等信息!

德州仪器 (Texas)

德州仪器 (Texas)

德州仪器公司(TI)是一家开发模拟IC和嵌入式处理器的全球半导体设计和制造公司。通过雇用世界上最聪明的人,TI创造了塑造技术未来的创新。如今,TI正在帮助超过10万名客户改变未来。

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