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MXD1210EWE

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规格参数

  • 安装类别 -
  • 包装/外壳 -
  • 供应商设备包装 -
  • 电源电压 -
  • 工作温度 -
  • 制造厂商 模拟器件公司 (Analog)
  • 部件状态 可供货
  • 控制器种类 -

MXD1210EWE 产品详情

The MXD1210EWE nonvolatile RAM controller is a very low-power CMOS circuit that converts standard (volatile) CMOS RAM into nonvolatile memory. It also continually monitors the power supply to provide RAM write protection when power to the RAM is in a marginal (out-of-tolerance) condition. When the power supply begins to fail, the RAM is write protected, and the device switches to battery-backup mode.

Feature

  • Battery Backup
  • Memory Write Protection
  • 230μA Operating-Mode Quiescent Current
  • 2nA Backup-Mode Quiescent Current
  • Battery Freshness Seal
  • Optional Redundant Battery
  • Low Forward-Voltage Drop on VCC Supply Switch
  • 5% or 10% Power-Fail Detection Options
  • Tests Battery Condition During Power-Up
  • 8-Pin SO Available

Applications

  • μP-Controlled Systems
  • Computers: Desktop, Workstation, Server
  • Embedded Systems


MXD1210EWE所属分类:内存控制器,MXD1210EWE 由 模拟器件公司 (Analog) 设计生产,可通过久芯网进行购买。MXD1210EWE价格参考¥36.359358,你可以下载 MXD1210EWE中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询MXD1210EWE规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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