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M93C86-WMN6P

  • 描述:存储类型: Non-Volatile 存储格式: EEPROM 存储容量: 16Kb (2K x 8, 1K x 16) 电源电压: 2.5伏~5.5伏 时钟频率: 2兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC
  • 品牌: 意法半导体 (STMicroelectronics)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 6.51585 6.51585
10+ 5.49644 54.96441
30+ 4.98147 149.44434
  • 库存: 8
  • 单价: ¥6.51586
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥6.52
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 存储类型 Non-Volatile
  • 存储格式 EEPROM
  • 技术 电可擦编程只读存储器
  • 工作温度 -40摄氏度~85摄氏度(TA)
  • 安装类别 表面安装
  • 储存接口 串行外设接口
  • 单字、单页写入耗时 5ms
  • 访达时期 -
  • 包装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90毫米 Width)
  • 供应商设备包装 8-SOIC
  • 时钟频率 2兆赫
  • 电源电压 2.5伏~5.5伏
  • 制造厂商 意法半导体 (STMicroelectronics)
  • 存储容量 16Kb (2K x 8, 1K x 16)

M93C86-WMN6P 产品详情

The M93C86-WMN6P is a 16kb Electrically Erasable Programmable Memory (EEPROM) device accessed through the MICROWIRE bus protocol. The memory array can be configured either in bytes (x8b) or in words (x16b). This device operates within a voltage supply range from 2.5 to 5.5V.

Feature

  • Industry standard MICROWIRE bus
  • Dual organization - By word (x16) or byte (x8)
  • Programming instructions that work on - byte, word or entire memory
  • 5ms Self-timed programming cycle with auto-erase
  • READY/BUSY signal during programming
  • Sequential read operation
  • Enhanced ESD/latch-up behaviour
  • More than 4 million write cycles
  • More than 200-year data retention
M93C86-WMN6P所属分类:存储器,M93C86-WMN6P 由 意法半导体 (STMicroelectronics) 设计生产,可通过久芯网进行购买。M93C86-WMN6P价格参考¥6.515858,你可以下载 M93C86-WMN6P中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询M93C86-WMN6P规格参数、现货库存、封装信息等信息!

意法半导体 (STMicroelectronics)

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