起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 197.73117 | 197.73117 |
| 10+ | 184.12900 | 1841.29004 |
| 25+ | 182.15314 | 4553.82852 |
| 50+ | 177.65964 | 8882.98230 |
| 100+ | 166.39114 | 16639.11420 |
| 1000+ | 125.79468 | 125794.68700 |
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The RMLV Series of high performance advanced static RAMs has realized higher density, low current consumption, and offers low power standby power dissipation.
Single 2.7V to 3.6V power supply
Access time: 45ns (max.)
Equal access and cycle times
Common data input and output with three state output
All inputs and outputs are TTL compatible
Suitable for battery backup operation
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | RML42-0311 | 安费诺射频互连 (Amphenol RF) | RML42-0311 | ¥248.14175 |
 | RMLV0414EGSB-4S2#AA1 | 瑞萨电子 (Renesas) | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 44-TSOP II | ¥88.72553 |
 | RMLV3216AGSA-5S2#AA0 | 瑞萨电子 (Renesas) | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 32Mb (4M x 8, 2M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP I | ¥391.91332 |
 | RMLV0816BGBG-4S2#AC0 | 瑞萨电子 (Renesas) | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 8Mb (512K x 16) 电源电压: 2.4伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TFBGA (7.5x8.5) | ¥128.02609 |
 | RMLV0416EGBG-4S2#KC0 | 瑞萨电子 (Renesas) | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TFBGA (7.5x8.5) | ¥88.72553 |
 | RMLV0408EGSP-4S2#CA1 | 瑞萨电子 (Renesas) | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 32-SOP | ¥48.71068 |
 | RMLV1616AGSD-5S2#HA1 | 瑞萨电子 (Renesas) | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Mb (2M x 8, 1M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 52-TSOP II | ¥195.94942 |
 | RMLV1616AGSD-5S2#AA1 | 瑞萨电子 (Renesas) | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Mb (2M x 8, 1M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 52-TSOP II | ¥195.94942 |
| RMLV3216AGBG-5S2#AC0 | SRAM 32MB 3V X16 FBGA48 55NS -40 | ¥0.00 | |
| RMLV3216AGBG-5S2#KC0 | SRAM 32MB 3V X16 FBGA48 55NS -40 | ¥0.00 |
Renesas Electronics Corporation通过完整的半导体解决方案提供值得信赖的嵌入式设计创新，使数十亿连接的智能设备能够改善人们的工作和生活方式&mdash；安全可靠。作为微控制器...
