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GD5F1GQ4UFYIGR

  • 描述:存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Gb(128M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 120兆赫 供应商设备包装: 8-WSON (6x8)
  • 品牌: 兆易创新 (GigaDevice)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 36.78813 36.78813
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    - +
  • 总计: ¥36.79
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规格参数

  • 存储类型 Non-Volatile
  • 工作温度 -40摄氏度~85摄氏度(TA)
  • 安装类别 表面安装
  • 存储格式 FLASH
  • 访达时期 -
  • 部件状态 不适用于新设计
  • 储存接口 SPI - Quad I/O
  • 电源电压 2.7伏~3.6伏
  • 包装/外壳 8-WDFN Exposed Pad
  • 技术 FLASH-NAND
  • 供应商设备包装 8-WSON (6x8)
  • 制造厂商 兆易创新 (GigaDevice)
  • 时钟频率 120兆赫
  • 存储容量 1Gb(128M x 8)
  • 单字、单页写入耗时 700s

GD5F1GQ4UFYIGR 产品详情

GD5F1GQ4UFYIGR所属分类:存储器,GD5F1GQ4UFYIGR 由 兆易创新 (GigaDevice) 设计生产,可通过久芯网进行购买。GD5F1GQ4UFYIGR价格参考¥36.788138,你可以下载 GD5F1GQ4UFYIGR中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询GD5F1GQ4UFYIGR规格参数、现货库存、封装信息等信息!

兆易创新 (GigaDevice)

兆易创新 (GigaDevice)

GigaDevice于2005年在硅谷成立,是一家领先的无晶圆厂半导体公司,从事先进的存储技术和IC解决方案。该公司已于2016年成功完成在上海证券交易所的首次公开募股。GigaDevice提供多种高性...

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