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FM24V05-G

  • 描述:存储类型: Non-Volatile 存储格式: FRAM 存储容量: 512Kb (64K x 8) 电源电压: 2V~3.6V 时钟频率: 3.4兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC
  • 品牌: 英飞凌 (Infineon)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 138.64063 138.64063
10+ 132.82891 1328.28912
30+ 122.75035 3682.51053
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    - +
  • 总计: ¥138.64
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 单字、单页写入耗时 -
  • 存储类型 Non-Volatile
  • 工作温度 -40摄氏度~85摄氏度(TA)
  • 安装类别 表面安装
  • 包装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90毫米 Width)
  • 供应商设备包装 8-SOIC
  • 储存接口 IOC
  • 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
  • 存储格式 FRAM
  • 技术 铁电RAM
  • 存储容量 512Kb (64K x 8)
  • 电源电压 2V~3.6V
  • 时钟频率 3.4兆赫
  • 访达时期 130纳秒

FM24V05-G 产品详情

F-RAM, Cypress Semiconductor

Ferroelectric Random Access Memory (F-RAM) is energy-efficient and it has the highest-reliability of the non-volatile RAMs for both serial and parallel interfaces. Parts with suffix A are designed for automotive applications and are AEC-Q100 qualified.

Nonvolatile Ferroelectric RAM Memory
Fast write speed
High endurance
Low power consumption

FM24V05-G所属分类:存储器,FM24V05-G 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产,可通过久芯网进行购买。FM24V05-G价格参考¥138.640637,你可以下载 FM24V05-G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询FM24V05-G规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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