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CY7C199C-20ZIT

  • 描述:存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 28-TSOP I
  • 品牌: 英飞凌 (Infineon)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 451

数量 单价 合计
451+ 4.85274 2188.58709
  • 库存: 1226
  • 单价: ¥4.85274
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥2,188.59
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 存储类型 Volatile
  • 储存接口 并联
  • 工作温度 -40摄氏度~85摄氏度(TA)
  • 安装类别 表面安装
  • 时钟频率 -
  • 存储格式 SRAM
  • 技术 SRAM-异步
  • 存储容量 256Kb (32K x 8)
  • 电源电压 4.5伏~5.5伏
  • 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
  • 单字、单页写入耗时 20纳秒
  • 访达时期 20纳秒
  • 包装/外壳 28-TSSOP(0.465“,11.80毫米宽)
  • 供应商设备包装 28-TSOP I

CY7C199C-20ZIT 产品详情


The CY7C199C-20ZIT is a high-performance CMOS static RAM organized as 32,768 words by 8 bits. Easy memory expansion is provided by an active LOW Chip Enable (CE) and active LOW Output Enable (OE) and three-state drivers.
This device has an automatic power-down feature, reducing the power consumption by 81% when deselected. The CY7C199C-20ZIT is in the standard 300-mil-wide DIP, SOJ, and LCC packages.

Feature

• High speed
— 10 ns
• Fast tDOE
• CMOS for optimum speed/power
• Low active power
— 467 mW (max, 12 ns “L” version)
• Low standby power
— 0.275 mW (max, “L” version)
• 2V data retention (“L” version only)
• Easy memory expansion with CE and OE
• TTL-compatible inputs and outputs
• Automatic power-down when deselected

CY7C199C-20ZIT所属分类:存储器,CY7C199C-20ZIT 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产,可通过久芯网进行购买。CY7C199C-20ZIT价格参考¥4.852743,你可以下载 CY7C199C-20ZIT中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询CY7C199C-20ZIT规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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