起订量: 201
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 201+ | 10.86435 | 2183.73435 |
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• Low voltage range:
— 2.7V–3.6V (CY62128V)
— 2.3V–2.7V (CY62128V25)
— 1.6V–2.0V (CY62128V18)
• Low active power and standby power
• Easy memory expansion with CE and OE
• TTL-compatible inputs and outputs
• Automatic power-down when deselected
• CMOS for optimum speed/power
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | CY6696 | 森萨塔科技快达 (Sensata-Crydom) | CY6696 | ¥1,096.71992 |
| CY6657-000 | 泰科航天 (TE) | TX40AB00-1006H | ¥1,249.18296 |
| CY62146DV30LL-55ZSXI | 英飞凌 (Infineon) | 256K X 16 SRAM | ¥38.17008 |
| CY62136VNLL-70BAI | 英飞凌 (Infineon) | IC SRAM 2MB 3V 48-FBGA | ¥32.81034 |
| CY6792-000 | 泰科瑞侃 (Raychem Cable) | 长: 1000.0'（304.8m） 色彩/颜色: 黑色 材质: 聚烯烃（PO），辐照 收缩比: 2到1 | ¥218.69212 |
| CY6792-000 | 泰科瑞侃 (Raychem Cable) | 长: 4.00’（1.22米） 色彩/颜色: 黑色 材质: 聚烯烃（PO），辐照 收缩比: 2到1 | ¥996.68098 |
 | CY62187G30-55BAXI | 英飞凌 (Infineon) | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 64Mb (4M x 16) 电源电压: 2.2伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-FBGA (8x9.5) | ¥707.12433 |
 | CY62128EV30LL-45ZXIT | 英飞凌 (Infineon) | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 2.2伏~3.6伏 供应商设备包装: 32-TSOP I | ¥81.51128 |
 | CY62148ELL-55SXIT | 英飞凌 (Infineon) | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-SOIC | ¥58.37053 |
 | CY62147DV30L-55ZSXI | 英飞凌 (Infineon) | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 2.2伏~3.6伏 供应商设备包装: 44-TSOP II | ¥18.17968 |
1999年4月1日，西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司，致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。
