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11LC010T-I/TT

  • 描述:存储类型: Non-Volatile 存储格式: EEPROM 存储容量: 1Kb (128 x 8) 电源电压: 2.5伏~5.5伏 时钟频率: 100千赫 供应商设备包装: SOT-23-3
  • 品牌: 美国微芯 (MICROCHIP)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 1.99976 1.99976
  • 库存: 1620
  • 单价: ¥1.99977
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥2.00
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规格参数

  • 制造厂商 美国微芯 (MICROCHIP)
  • 部件状态 可供货
  • 存储类型 Non-Volatile
  • 存储格式 EEPROM
  • 技术 电可擦编程只读存储器
  • 工作温度 -40摄氏度~85摄氏度(TA)
  • 安装类别 表面安装
  • 单字、单页写入耗时 5ms
  • 访达时期 -
  • 电源电压 2.5伏~5.5伏
  • 时钟频率 100千赫
  • 存储容量 1Kb (128 x 8)
  • 储存接口 Single Wire
  • 包装/外壳 至236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备包装 SOT-23-3

11LC010T-I/TT 产品详情

11AAxxx/11LCxxx UNI/O™ Serial EEPROM

The Microchip 11AAxxx/11LCxxx family of devices are Serial EEPROMs featuring Microchip’s proprietary UNI/O™ Serial Bus.

UNI/O™ Serial EEPROM devices require only one connection to a host Microcontroller as clock and data communications are combined into a single serial bit stream. The result is that UNI/O™ devices require one Microcontroller I/O instead of the 2 to 6 (depending on configuration) that I2C, Microwire and SPI bus EEPROM devices require. To the designer this opens up the possibility of employing a smaller host MCU with fewer I/Os, reducing the MCU cost and allowing for a more compact design.

Features

Feature

  • Single I/O Interface
  • 1 Kbit Memory Density
  • 2.5-5.5V Operating Voltage
  • 10-100 kHz Operating Frequency
  • 1 Million Erase/Write Cycles
  • Software Write Protect: ¼, ½, or Full Array
  • Status Register
  • Set/Erase entire memory with a single command
  • ESD Protection > 4kV
  • Noise Filtration Circuitry
11LC010T-I/TT所属分类:存储器,11LC010T-I/TT 由 美国微芯 (MICROCHIP) 设计生产,可通过久芯网进行购买。11LC010T-I/TT价格参考¥1.999765,你可以下载 11LC010T-I/TT中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询11LC010T-I/TT规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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