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CY62256LL-70ZI

  • 描述:存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 28-TSOP I
  • 品牌: 英飞凌 (Infineon)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 137

数量 单价 合计
137+ 15.93438 2183.01006
  • 库存: 814
  • 单价: ¥15.93438
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥2,183.01
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 存储类型 Volatile
  • 储存接口 并联
  • 工作温度 -40摄氏度~85摄氏度(TA)
  • 安装类别 表面安装
  • 时钟频率 -
  • 存储格式 SRAM
  • 技术 SRAM-异步
  • 存储容量 256Kb (32K x 8)
  • 电源电压 4.5伏~5.5伏
  • 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
  • 单字、单页写入耗时 70ns
  • 访达时期 70 ns
  • 包装/外壳 28-TSSOP(0.465“,11.80毫米宽)
  • 供应商设备包装 28-TSOP I

CY62256LL-70ZI 产品详情

The CY62256LL-70ZI is a high-performance CMOS static RAM organized as 32K words by 8 bits. Easy memory expansion is provided by an active LOW chip enable (CE) and active LOW output enable (OE) and three-state drivers. This device has an automatic power-down feature, reducing the power consumption by 99.9% when deselected.

Feature

• High speed: 55 ns and 70 ns

• Voltage range: 4.5V–5.5V operation

• Low active power (70 ns, LL version)

— 275 mW (max.)

• Low standby power (70 ns, LL version)

— 28 µW (max.)

• Easy memory expansion with CE and OE features

• TTL-compatible inputs and outputs

• Automatic power-down when deselected

• CMOS for optimum speed/power

• Package available in a standard 450-mil-wide (300-mil body width) 28-lead narrow SOIC, 28-lead TSOP-1, 

28-lead reverse TSOP-1, and 600-mil 28-lead PDIP packages


(Picture: Pinout)

CY62256LL-70ZI所属分类:存储器,CY62256LL-70ZI 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产,可通过久芯网进行购买。CY62256LL-70ZI价格参考¥15.934380,你可以下载 CY62256LL-70ZI中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询CY62256LL-70ZI规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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