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CYD01S18V-133BBI

  • 描述:存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 18) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 256-FBGA(17x17)
  • 品牌: 英飞凌 (Infineon)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 6

数量 单价 合计
6+ 434.57400 2607.44400
  • 库存: 85
  • 单价: ¥434.57400
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥2,607.44
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 存储类型 Volatile
  • 储存接口 并联
  • 时钟频率 133兆赫
  • 单字、单页写入耗时 -
  • 工作温度 -40摄氏度~85摄氏度(TA)
  • 安装类别 表面安装
  • 存储格式 SRAM
  • 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
  • 电源电压 1.7伏~1.9伏
  • 技术 SRAM-双端口,标准
  • 访达时期 4.7纳秒
  • 包装/外壳 256磅
  • 供应商设备包装 256-FBGA(17x17)
  • 存储容量 1Mb (64K x 18)

CYD01S18V-133BBI 产品详情

CYD01S18V-133BBI所属分类:存储器,CYD01S18V-133BBI 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产,可通过久芯网进行购买。CYD01S18V-133BBI价格参考¥434.574000,你可以下载 CYD01S18V-133BBI中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询CYD01S18V-133BBI规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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