Description
This is a 256Mb Low Power DDR SDRAM organized as 2M words x 4 banks x 32bits
Features
Power supply VDD = 1.7V~1.95V、VDDQ = 1.7V~1.95V
Data width: x32
Burst Type: Sequential or Interleave、Clock rate : 166MHz, 200MHz
Standard Self Refresh Mode
PASR、ATCSR、Power Down Mode、DPD
Programmable output buffer driver strength
Four internal banks for concurrent operation
CAS Latency: 2 and 3
Burst Length: 2、4 、8 and 16
Operating Temperature Range: Extended (-25°C ~ 85°C), Industrial (-40°C ~ 85°C)
Bidirectional, data strobe (DQS) is transmitted or received with data, to be used in capturing data at the receiver?
W948D2FBJX5E
- 描述:存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (8M x 32) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 90-VFBGA (8x13)
- 品牌: 华邦电子 (Winbond)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
---|---|---|
1+ | 31.36175 | 31.36175 |
10+ | 28.44286 | 284.42868 |
25+ | 27.82722 | 695.68055 |
40+ | 27.67693 | 1107.07728 |
80+ | 24.81598 | 1985.27888 |
- 库存: 151
- 单价: ¥31.36176
-
数量:
- +
- 总计: ¥31.36
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 存储类型 Volatile
- 存储格式 DRAM
- 储存接口 并联
- 电源电压 1.7伏~1.95伏
- 安装类别 表面安装
- 制造厂商 华邦电子 (Winbond)
- 技术 SDRAM-移动LPDDR
- 时钟频率 200兆赫
- 单字、单页写入耗时 15纳秒
- 访达时期 5 ns
- 供应商设备包装 90-VFBGA (8x13)
- 存储容量 256Mb (8M x 32)
- 包装/外壳 90-TFBGA
- 工作温度 -25摄氏度~85摄氏度(TC)
W948D2FBJX5E 产品详情
W948D2FBJX5E所属分类:存储器,W948D2FBJX5E 由 华邦电子 (Winbond) 设计生产,可通过久芯网进行购买。W948D2FBJX5E价格参考¥31.361757,你可以下载 W948D2FBJX5E中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询W948D2FBJX5E规格参数、现货库存、封装信息等信息!
华邦电子 (Winbond)
Winbond Electronics Corporation是全球领先的半导体存储解决方案供应商。该公司提供由客户驱动的内存解决方案,并以产品设计、研发、制造和销售服务方面的专家能力为后盾。Winbo...