Description
W9464G6JH is a 64M DDR SDRAM and speed involving -4 / -5 and -5I Status: Mass Production
Features
2.5V ±0.2V Power Supply for DDR400
2.4V~2.7V Power Supply for DDR500
Up to 250 MHz Clock Frequency
Double Data Rate architecture; two data transfers per clock cycle
Differential clock inputs (CLK and /CLK)
DQS is edge-aligned with data for Read; center-aligned with data for Write
CAS Latency: 2, 2.5, 3 and 4
Burst Length: 2, 4 and 8
Auto Refresh and Self Refresh
Precharged Power Down and Active Power Down
Write Data Mask
Write Latency = 1
15.6μS refresh interval (4K/64 mS Refresh)
Maximum burst refresh cycle: 8
Interface: SSTL_2
W9464G6KH-5
- 描述:存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 64Mb (4M x 16) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 66-TSOP II
- 品牌: 华邦电子 (Winbond)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
---|---|---|
1+ | 9.15372 | 9.15372 |
200+ | 3.54168 | 708.33680 |
500+ | 3.41557 | 1707.78550 |
1000+ | 3.36302 | 3363.02300 |
- 库存: 92
- 单价: ¥9.15373
-
数量:
- +
- 总计: ¥9.15
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 存储类型 Volatile
- 存储格式 DRAM
- 储存接口 并联
- 安装类别 表面安装
- 制造厂商 华邦电子 (Winbond)
- 时钟频率 200兆赫
- 单字、单页写入耗时 15纳秒
- 技术 SDRAM-DDR
- 电源电压 2.3伏~2.7伏
- 工作温度 0摄氏度~70摄氏度(TA)
- 包装/外壳 66-TSSOP (0.400", 10.16毫米 Width)
- 供应商设备包装 66-TSOP II
- 访达时期 55 ns
- 存储容量 64Mb (4M x 16)
W9464G6KH-5 产品详情
W9464G6KH-5所属分类:存储器,W9464G6KH-5 由 华邦电子 (Winbond) 设计生产,可通过久芯网进行购买。W9464G6KH-5价格参考¥9.153729,你可以下载 W9464G6KH-5中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询W9464G6KH-5规格参数、现货库存、封装信息等信息!
华邦电子 (Winbond)
Winbond Electronics Corporation是全球领先的半导体存储解决方案供应商。该公司提供由客户驱动的内存解决方案,并以产品设计、研发、制造和销售服务方面的专家能力为后盾。Winbo...