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24LC256T-I/SN
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24LC256T-I/SN

  • 描述:存储类型: Non-Volatile 存储格式: EEPROM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 2.5伏~5.5伏 时钟频率: 400千赫 供应商设备包装: 8-SOIC
  • 品牌: 美国微芯 (MICROCHIP)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
3300+ 4.07767 13456.32090
  • 库存: 19000
  • 单价: ¥13.15890
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥13.16
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规格参数

  • 制造厂商 美国微芯 (MICROCHIP)
  • 部件状态 可供货
  • 存储类型 Non-Volatile
  • 存储格式 EEPROM
  • 技术 电可擦编程只读存储器
  • 工作温度 -40摄氏度~85摄氏度（TA）
  • 安装类别 表面安装
  • 单字、单页写入耗时 5ms
  • 包装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90毫米 Width)
  • 供应商设备包装 8-SOIC
  • 储存接口 IOC
  • 存储容量 256Kb (32K x 8)
  • 时钟频率 400千赫
  • 电源电压 2.5伏~5.5伏
  • 访达时期 900 ns

24LC256T-I/SN 产品详情

The 24LC256T-I/SN is a 256kb (32k x 8) I²C™ CMOS serial Electrically Erasable PROM (EEPROM) capable of operation across a broad voltage range (1.7 to 5.5V). It has been developed for advanced, low-power applications such as personal communications or data acquisition. This device also has a page write capability of up to 64-byte of data. This device is capable of both random and sequential reads up to the 256k boundary. Functional address lines allow up to eight devices on the same bus, for up to 2Mb address space.

Feature

  • Self-timed erase/write cycle
  • 5ms Maximum page write time
  • Hardware write-protect pin
  • Factory programming available
  • 400µA Maximum read current
  • 1µA Maximum standby current
  • Cascadable up to eight devices
  • Schmitt trigger inputs for noise suppression
  • Output slope control to eliminate ground bounce
  • >4000V ESD protection
  • 2-wire serial interface, I²C™ compatible
  • More than one million erase/write cycles
  • >200-year Data retention

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器件图
型号
制造商
描述
价格
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24LC256T-I/SN所属分类：存储器，24LC256T-I/SN 由 美国微芯 (MICROCHIP) 设计生产，可通过久芯网进行购买。24LC256T-I/SN价格参考￥13.158901，你可以下载 24LC256T-I/SN中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询24LC256T-I/SN规格参数、现货库存、封装信息等信息！

美国微芯 (MICROCHIP)

美国微芯 (MICROCHIP)

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