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CYD18S18V18-200BBAXI

  • 描述:存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (1M x 18) 电源电压: 1.42V~1.58V,1.7V~1.9V 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 256-FBGA(17x17)
  • 品牌: 英飞凌 (Infineon)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
2+ 2462.58600 4925.17200
  • 库存: 3
  • 单价: ¥2,240.30140
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥2,240.30
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规格参数

  • 存储类型 Volatile
  • 储存接口 并联
  • 单字、单页写入耗时 -
  • 工作温度 -40摄氏度~85摄氏度(TA)
  • 安装类别 表面安装
  • 存储格式 SRAM
  • 时钟频率 200兆赫
  • 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
  • 部件状态 过时的
  • 存储容量 18Mb (1M x 18)
  • 技术 SRAM-双端口,同步
  • 包装/外壳 256磅
  • 供应商设备包装 256-FBGA(17x17)
  • 访达时期 3.3纳秒
  • 电源电压 1.42V~1.58V,1.7V~1.9V

CYD18S18V18-200BBAXI 产品详情

CYD18S18V18-200BBAXI所属分类:存储器,CYD18S18V18-200BBAXI 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产,可通过久芯网进行购买。CYD18S18V18-200BBAXI价格参考¥2240.301399,你可以下载 CYD18S18V18-200BBAXI中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询CYD18S18V18-200BBAXI规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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