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23LCV1024-I/SN

  • 描述:存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 2.5伏~5.5伏 时钟频率: 20兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC
  • 品牌: 美国微芯 (MICROCHIP)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

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1+ 56.94150 56.94150
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规格参数

  • 制造厂商 美国微芯 (MICROCHIP)
  • 部件状态 可供货
  • 存储类型 Volatile
  • 单字、单页写入耗时 -
  • 工作温度 -40摄氏度~85摄氏度(TA)
  • 安装类别 表面安装
  • 访达时期 -
  • 包装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90毫米 Width)
  • 供应商设备包装 8-SOIC
  • 存储格式 SRAM
  • 电源电压 2.5伏~5.5伏
  • 存储容量 1Mb (128K x 8)
  • 时钟频率 20兆赫
  • 储存接口 SPI - Dual I/O
  • 技术 SRAM-同步

23LCV1024-I/SN 产品详情

The 23LCV1024-I/SN is a 1Mb SPI Serial SRAM with battery backup and SDI interface. The memory is accessed via a simple serial peripheral interface (SPI) compatible serial bus. The bus signals required are a clock input (SCK) plus separate data in (SI) and data out (SO) lines. Access to the device is controlled through a chip select (CS) input. Additionally, SDI (serial dual interface) is supported if application needs faster data rates. The SRAM can be battery backed via the Vbat pin essentially making the SRAM non-volatile. The device also supports unlimited read and write cycles to the array.

Feature

  • SPI-compatible bus interface - 20MHz clock rate, SPI/SDI mode
  • Low-power CMOS technology
  • 3mA at 3.6V, 20MHz Read current
  • 4µA at +85°C Maximum standby current
  • Unlimited read and write cycles
  • Zero write time
  • 32-byte page
  • Battery-backed SRAM support via Vbat Pin, automatic switchover to Vbat
  • Sequential mode reads and writes
  • High reliability
23LCV1024-I/SN所属分类:存储器,23LCV1024-I/SN 由 美国微芯 (MICROCHIP) 设计生产,可通过久芯网进行购买。23LCV1024-I/SN价格参考¥56.941507,你可以下载 23LCV1024-I/SN中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询23LCV1024-I/SN规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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